| 研究課題/領域番号 |
16K05422
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
竹端 寛治 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 先端材料解析研究拠点, 主幹研究員 (50354361)
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| 研究分担者 |
高村 真琴 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 研究主任 (00622250)
関根 佳明 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 (70393783)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2018年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2017年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2016年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 二層グラフェン / サイクロトロン共鳴 / イオンゲルゲート / 遠赤外領域ファイバー / 遠赤外領域光ファイバー / ナノ材料 |
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| 研究成果の概要 |
本研究において、SiC上にエピタキシャル成長された高移動度の二層グラフェン試料に関してイオンゲルを用いた電気二重層電界効果高濃度電荷制御により広いエネルギー領域でフェルミ準位を制御させた状態で高精度なサイクロトロン共鳴(CR)吸収測定および輸送現象測定の同時測定を行った。その結果、イオンゲルゲートによりホールを高濃度に誘起させたことにより、励起バンドに起因するCR吸収を初めて観測した。また、本研究の結果を解析することにより、価電子帯および励起バンドのランダウ準位分裂や有効質量などの電子状態に関する知見が得られた。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究によりイオンゲルゲートで電気二重層電界効果高濃度電荷制御を行いながらサイクロトロン共鳴(CR)吸収測定および輸送現象測定の同時測定を行う測定技術を開発することに成功した。これまで得ることの出来なかった励起バンド関する知見が得られるなど本研究による新規測定技術開発の学術的意義は大きいと考えている。今後、重要なトポロジカル物質の表面電子状態の研究などに応用が期待される。
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