| 研究課題/領域番号 |
16K05967
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
機械材料・材料力学
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
泉 聡志 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (30322069)
|
|---|
| 研究分担者 |
波田野 明日可 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 講師 (20707202)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2018年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2017年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2016年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
|
|---|
| キーワード | 分子動力学 / 4H-SiC / 転位 / ナノマイクロ材料力学 |
|---|
| 研究成果の概要 |
4H-SiCは先端パワーデバイスの材料として期待されている。本論文では、らせん型基底面転位（BPD）から貫通らせん転位（TED）への変換プロセスを反応経路解析により明らかにした。部分転位対の収縮は表面近くで起こりやすく、表面がSi面のほうが起こりやすいことがわかった。また、BPDの交差すべりは表面近傍で起こりやすく、Si面のほうが起こりやすいことがわかった。加えて、交差すべりの抑制プロセスが、グライドセット面からシャフルーグライド混合タイプへの遷移過程であることがわかった。分子動力学シミュレーションにより、オフ角を設定した基板中のBPD-TED変換が低温でも即座に起こることを示した。
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究は、応用物理学会で二回の受賞（第65回応用物理学会 春季学術講演会 講演奨励賞、第78回応用物理学会 秋季学術講演会 PosterAward」）を受けており、学術・産業界において非常にインパクトの高い研究である。それらの成果はJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されている。 また、SIPプロジェクト「次世代パワーエレクトロニクス」のメンバの中でも情報収集され、企業や研究所のメンバと議論を行った。今後、SiCパワーデバイスの品質改善に応用されていく予定である。
|
