| 研究課題/領域番号 |
16K06034
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
倉島 優一 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (70408730)
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| 研究分担者 |
高木 秀樹 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 副研究センター長 (00357344)
鈴木 健太 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (60709509)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2018年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2017年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
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| キーワード | 常温接合 / マイクロデバイス / 実装 / MEMS / 微細加工 / ＭＥＭＳ / 表面平滑化 / 気密封止 / 平滑化 / 封止 / マイクロ・ナノデバイス / 電子・電気材料 / デバイス設計・製造プロセス |
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| 研究成果の概要 |
マイクロデバイスの気密封止には金メッキによる封止枠等が広く用いられているが、メッキによる金の表面は非常に粗いため、高温・高圧下で金を変形させて接合面同士の密着を図る必要がある。このため熱膨張係数の異なる異種材料を含むマイクロデバイスのような場合には、接合後に熱応力が残留するなどの問題がありデバイス特性を悪化させる原因になっていた。超平滑な基板表面にスパッタ成膜された金薄膜を封止基板上の金メッキ表面に写しとる手法を開発し表面活性化常温接合に適応させたところ、従来の熱圧着法と同程度の高強度が得られた。さらに気密封止性について評価したところ、Heリーク試験での測定限界以下のリーク率であった。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
エレクトロニクス実装分野において金属同士の接合を実現するには、高温下での接合が一般的であった。原子レベルで平滑な表面を用いることで、常温低荷重でデバイスの真空気密封止を可能にする技術を新たに確立した。この技術を用いればダメージレスのデバイスパッケージングへの実現につながる。これにより研究室レベルでしか実現出来なかった様々なデバイスが世の中に製品として広く実用化されることが期待できる。
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