研究課題/領域番号 |
16K06255
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 東京農工大学 |
研究代表者 |
蓮見 真彦 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (60261153)
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研究協力者 |
鮫島 俊之
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研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2018年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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キーワード | マイクロ波加熱 / シリコン / 結晶化 / 活性化 / ソーラーセル / マイクロ波 / 加熱炉 / アモルファスシリコン / 熱拡散ドーピング / 電子デバイス・機器 / ナノ材料 / 太陽電池 / 半導体物性 |
研究成果の概要 |
マイクロ波を吸収して発熱する炭素粉末の性質を利用した半導体急速加熱装置を開発した。出力200Wの2.45GHzマイクロ波を金属性キャビティ内に照射し、キャビティの中央に設置した炭素粉末とアルゴンガスを石英管に封入したカーボン・ヒーティング・チューブに吸収させることにより、温度1200℃での熱処理を実現した。この装置を用いて、膜厚50nmのアモルファスシリコン薄膜の結晶化を試み、4インチ基板全面に渡って0.89~0.94の高い結晶化率を得た。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
今回の研究成果は、カーボン・ヒーティング・チューブを用いたマイクロ波急速加熱装置のさまざまな応用の可能性を示している。本研究で開発したカーボン・ヒーティング・チューブは、無電極の発熱ランプであり、電気的な配線を必要としないため、耐久性に優れている。また、配線を通じた熱の逃げが発生しないため、従来にない省エネルギー性の高い加熱装置を実現することができる。さらに、従来のランプやヒーターに用いられる高価なレアメタルを必要とせず、安価な装置製造を可能とする。
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