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超高速キャリア緩和を有するInAs量子ドットのテラヘルツ波検出素子への応用

研究課題

研究課題/領域番号 16K06266
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関国立研究開発法人産業技術総合研究所

研究代表者

熊谷 直人  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (40732152)

研究分担者 北田 貴弘  徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 特任教授 (90283738)
盧 翔孟  徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 特任助教 (80708800)
南 康夫  徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 特任准教授 (60578368)
研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2019-03-31
研究課題ステータス 完了 (2018年度)
配分額 *注記
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2018年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2017年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
キーワード量子ドット / 光電流 / 光伝導アンテナ / テラヘルツ / 窒化ガリウム / 電子・電気材料
研究成果の概要

当初の計画通りに遂行できない場合の対応として、量子ドット層の面内光電流メカニズム解明に向け、高速なキャリア緩和を持つInAs量子ドット層積層試料の光電流スペクトルの温度依存性を評価し、1400 nm付近で低温から室温まで熱的に連続した量子ドット層からの光電流ピークが確認できた。また光電流の温度依存性から169Kより高温域での光電流活性化エネルギーを求めた。活性化エネルギーには波長依存性があり、1200~1600 nmで50~63 meVであった。波長が長くなるほど、活性化エネルギーが大きくなる事から、ドットサイズに依存した熱的脱出深さを反映していると考えられる。

研究成果の学術的意義や社会的意義

「2次元電子系と0次元に閉じ込められた電子系が空間的に繋がった系」である自己組織化InAs量子ドットの面内光伝導という新しい切り口とその応用展開を図る上で、低温からの熱的に連続な光電流が確認でき、光電流の活性化エネルギーにドットの大きさが反映される事が示唆されたことにより、光電流メカニズムの一端を明らかにしただけでなく、光伝導アンテナの応用に向けて、低温でのアンテナ動作、ドットサイズによる光電流の活性化エネルギー制御について知見を得ることができた。

報告書

(4件)
  • 2018 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2017 実施状況報告書
  • 2016 実施状況報告書
  • 研究成果

    (2件)

すべて 2019

すべて 学会発表 (2件) (うち国際学会 1件)

  • [学会発表] 高速キャリア緩和InAs 量子ドット積層構造の面内光電流スペクトルの温度依存性2019

    • 著者名/発表者名
      熊谷直人、盧翔孟、南康夫、北田貴弘
    • 学会等名
      2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会(東京工業大学)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Lateral Photocurrent Spectroscopy of Stacked InAs QDs Layers in Embedded Strain-Relaxed InGaAs Matrix2019

    • 著者名/発表者名
      Naoto Kumagai, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, and Takahiro Kitada
    • 学会等名
      CSW2019 (Compound Semiconductor Week 2019)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会

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公開日: 2016-04-21   更新日: 2020-03-30  

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