| 研究課題/領域番号 |
16K06297
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
村中 司 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 (20374788)
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| 研究分担者 |
鍋谷 暢一 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (30283196)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2018年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2017年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 酸化亜鉛半導体 / 透明導電膜 / フレキシブル / 酸化亜鉛 / ロール・ツー・ロール / 電子デバイス・機器 / 先端機能デバイス / 半導体超微細化 |
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| 研究成果の概要 |
本研究ではMBE法と原子状酸素ラジカルを利用した独自の低損傷・低温成長が可能な成膜プロセスにより、フレキシブル応用が可能な酸化亜鉛半導体デバイス作製技術の開発を行った。MBE成長実験と詳細な構造解析により、PET、PEN、PCなどの各種有機フレキシブル基板上におけるZnO薄膜の成長機構を明らかにした。また、電気的・光学的評価によりフレキシブル基板上におけるZnO薄膜の特性を明らかにした。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究成果により、フレキシブル基板における低温形成半導体薄膜形成プロセスに関する学問的理解および工学的制御プロセスの知見が得られた。また、本手法は従来プロセスでは不可能であった大面積・低コストのフレキシブル連続成膜と低温デバイス作製をシンプルな真空一貫プロセスで可能にする画期的なアプローチを提案するものであり、今後、応用分野の急速な拡大が期待されるフレキシブルデバイス作製技術の新たな可能性を拓くものである。
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