| 研究課題/領域番号 |
16K06298
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
三好 実人 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30635199)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2018年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2017年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / パワートランジスタ / 界面準位 / フォトルミネッセンス / AlGaN / トランジスタ / 界面準位密度 / ノーマリオフ / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / 結晶工学 / 半導体物性 |
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| 研究成果の概要 |
MOCVD成長したAlGaN膜に対し、ドライエッチング処理や絶縁膜形成など半導体加工プロセスが材料物性に与える影響をPL発光挙動を用いて調べた。また、AlGaNチャネルMISダイオードを試作し、C-V測定を用いた界面準位評価を実施した。AlGaNチャネルMIS構造の界面準位は、GaNチャネルのものと大きな矛盾が見られなかった。AlGaNチャネルMISトランジスタがGaNチャネルHFETを超える高いオフ特性を示すことを確認した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では、将来の増え続ける電力需要に応える超低損失パワーデバイスの創成を目指し、応募者らが独自開発した新規窒化物ヘテロ構造による絶縁ゲートトランジスタ実現に向けた基盤研究を計画した。研究では、絶縁ゲート形成プロセスに係るフォトルミネッセンス特性や電気特性を調べることができ、結果として良好なデバイス特性を示す絶縁ゲートトランジスタの試作に成功した。ここで得られた成果は、将来の超低損失パワーデバイス実現に大きく寄与するものと考える。
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