| 研究課題/領域番号 |
16K13674
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
乗松 航 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (30409669)
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| 研究協力者 |
楠 美智子
寺澤 知潮
松田 敬太
福井 舞
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2017年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2016年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 2次元物質 / 新規二次元物質 / 表面・界面物性 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、2次元炭化アルミニウムの成長に挑戦した。理論計算の結果、2次元炭化アルミニウム（AlCene、アルセン）は、約2.18eVの間接ギャップを持つ半導体であることがわかった。また実験の結果、パルスレーザー堆積法によってSiC(000-1)基板上に、結晶性の高い極薄の炭化アルミニウム膜をエピタキシャル成長できることがわかった。その界面の高分解能透過型電子顕微鏡観察の結果、SiC最表面の炭素原子と、炭化アルミニウムにおけるAl2C層のアルミニウムが結合していることも明らかとなった。
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