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電子線後方散乱法を用いた局所的半導体結晶性分布評価法の開発

研究課題

研究課題/領域番号 16K13675
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 結晶工学
研究機関広島大学

研究代表者

花房 宏明  広島大学, 先端物質科学研究科, 助教 (70630763)

研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2019-03-31
研究課題ステータス 完了 (2018年度)
配分額 *注記
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2017年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2016年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
キーワード結晶分布評価 / 電子線後方散乱 / 菊池線 / 結晶欠陥 / 欠陥密度分布 / 結晶の均質性 / 局所的結晶配列 / 電子顕微鏡 / 表面・界面物性 / 半導体物性 / 解析・評価 / 結晶工学
研究成果の概要

高い空間分解能を有する走査型電子顕微鏡(SEM)と結晶方位解析に用いられる電子線後方散乱回折法(EBSD)を組み合わせた新しい結晶性分布評価法の開発に挑戦した.解析に用いられる菊池線はブラッグ条件に従うことから菊池線パターンを解析することで半導体結晶内に含まれる欠陥密度を推定することが可能ではないかと考え、理論モデルの構築および、実際にイオン注入により欠陥を導入したサンプルと比較を行い、提案法の実証を行った.その結果,菊池線パターン解析を基にした本提案法が結晶欠陥密度を推定する新たな手法となりうる可能性を示した。

研究成果の学術的意義や社会的意義

SEM-EBSD法は多結晶の半導体や金属に対する結晶方位や結晶粒およびその粒界評価を行いたいという要求により発展してきた技術である.そのことから,本研究で目的とするバルクの半導体結晶の評価には全く視点が向けられてこなかった.本研究で着目した菊池線パターン自体を用いて結晶の均質性等を評価する研究は学術的に新たな研究領域を開拓したと考えられる.
また,SEMによる電子線の微細スポット径を用いることで従来の結晶性評価技術では困難な領域の結晶性評価が可能であることを示した.すなわち提案法による評価により更なる学術的発見が期待でき,更なる結晶性品質の向上につながる新しい展開を生み出すと考えられる.

報告書

(4件)
  • 2018 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2017 実施状況報告書
  • 2016 実施状況報告書
  • 研究成果

    (2件)

すべて 2019 2017

すべて 学会発表 (2件)

  • [学会発表] 菊池線パターン解析によるSi結晶内の欠陥量評価法の開発2019

    • 著者名/発表者名
      花房 宏明
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 菊池線パターン解析による結晶欠陥評価の研究2017

    • 著者名/発表者名
      沖 昴志、花房 宏明、東 清一郎
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会 第14回研究集会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書

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公開日: 2016-04-21   更新日: 2020-03-30  

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