研究課題/領域番号 |
16K13922
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研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
プラズマ科学
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研究機関 | 九州大学 |
研究代表者 |
白谷 正治 九州大学, システム情報科学研究院, 教授 (90206293)
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研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2017年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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キーワード | 異方性製膜 / プラズマCVD / 製膜形状制御 / マイクロプラズマ / カーボン保護膜 / 異方性堆積 |
研究成果の概要 |
本研究では、MEMSやULSI製造用マスク等への応用が展開できるカーボン薄膜を主な対象として、「マイクロ放電をもちいたプラズマ異方性CVD」技術を確立することを目的として、トルエン、希釈ガスとしてArとH2を用いて、平行平板型高周波放電により薄膜堆積した。従来の堆積では用いることのない高いガス圧力領域(5Torr)における高密度カーボン薄膜(1.8g/cc)の高速堆積(81nm/min)を実現するとともに、従来より3倍の製膜速度で異方性製膜に成功したことは、プラズマCVDプロセスのパラメータ領域を広げるものとして重要な結果である。
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