| 研究課題/領域番号 |
16K14126
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 埼玉大学 |
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研究代表者 |
池野 順一 埼玉大学, 理工学研究科, 教授 (10184441)
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| 研究協力者 |
豊川 陽佑
金子 祥大
阿部 達毅
篠崎 颯典
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2018年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2017年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 半導体基板 / SiC / SI / 潜傷 / レーザ / 研磨加工 / 加工変質層 / 評価技術 / 研磨 / 鏡面 / Si / 評価法 / 潜傷探査 / 研磨変質層 / パルスレーザ / 熱応力 / 光解離 / 半導体ウエハ / 残留応力 / 鏡面加工 / 研削 / レーザ加工 / 研削加工 |
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| 研究成果の概要 |
半導体材料の研磨では、表面粗さを満足しても、その表面下に潜傷が残っていてはいけない。現在、この潜傷を探査することは容易ではない。そこで、本研究ではSiとSiC基板についてレーザを利用した潜傷探査法を検討した。その結果、Siでは可視域のレーザを用いて熱応力によって潜傷を検出することに成功した。さらに、SiCではUVレーザを用いて光解離作用とアブレーションによって潜傷を検出することに成功した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
次世代パワー半導体基板（SiやSiC）は電気自動車の知能化を促進する重要な部品である。しかし、この半導体基板の加工の困難さから車載時期の遅れが懸念されている。その原因の一つに潜傷探査の困難さがあり、本研究ではそれを解決する手段を新たに見出すことができた。したがって、本研究の成果は自動車産業をはじめ、エネルギー分野でも日本の先駆的な開発に貢献できるものと期待される。
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