研究課題
挑戦的萌芽研究
エレクトロニクス応用に向けた、絶縁基板上へのグラファイト成膜技術の開発および、グラファイトへのアルカリ金属の層間挿入による黒鉛層間化合物の形成について研究を行った。その結果、高周波プラズマの援用により高結晶性のグラファイトを絶縁基板上に600度の低温で成膜レート66nm/hの比較的高い速度で合成可能となった。また、絶縁基板上に成膜したグラファイトのデバイス応用として、グラファイト電極を用いた平面型電子放出デバイスの開発を行い、従来型の平面型電子放出デバイスと比較して、電子放出効率と放出電流密度を1万倍向上することに成功した。
これまで学術的な物性研究の興味の範疇に留まっていたグラファイト層間化合物のデバイス応用に向けた、絶縁基板上へのグラファイト成膜技術を確立することが出来た。600度以下の低温で成膜可能であることから、石英やシリコン基板など高耐熱基板だけでなく、安価なガラスなどにも成膜可能であり、デバイス応用の観点からも有意であると言える。また、絶縁基板上に成膜下グラファイトを電極を用いた電子放出デバイスを開発し、性能を飛躍的に向上できることを示し、グラファイト電極のデバイス応用への有効性を実証した。
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Technical digest 31st International Vacuum Nanoelectronics Conference
巻: 31 ページ: 36-37
10.1109/ivnc.2018.8520076
巻: 31 ページ: 188-189
10.1109/ivnc.2018.8519982
巻: 31 ページ: 204-205
10.1109/ivnc.2018.8520285
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
巻: 36 号: 2
10.1116/1.5006866
120007133905
Technical digest 30th International Vacuum Nanoelectronics Conference
巻: - ページ: 114-115
10.1109/ivnc.2017.8051568
信学技報
巻: 117 ページ: 1-4
電子情報通信学会技術研究報告
巻: 166 ページ: 37-40
Technical digest 29th International Vacuum Nanoelectronics Conference
巻: - ページ: 61-62
10.1109/ivnc.2016.7551466
