| 研究課題/領域番号 |
16K14224
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田中 雅明 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (30192636)
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| 研究協力者 |
レ デゥック アイン 東京大学, 大学院工学系研究科, 助教
グエン タン トゥ ホーチミン師範大学, 講師
ファム ナム ハイ 東京工業大学, 工学院, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2016年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | スピン / 強磁性半導体 / 狭ギャップ / (In,Fe)As / (Ga,Fe)Sb / (In,Fe)Sb / キュリー温度 / スピントロニクス / 狭ギャップ半導体 / 電界効果トランジスタ / キャリア誘起強磁性 / 電界による磁性制御 / 狭バンドギャップ強磁性半導体 / スピンバンドエンジニアリング / スピンエサキダイオード / トンネル分光 / ヘテロ接合 / スピンエレクトロニクス / スピン機能デバイス |
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| 研究成果の概要 |
Fe-AsおよびFe-Sb正四面体構造をもつ狭ギャップIII-V族ベース強磁性半導体とそのスピン機能ヘテロ構造材料の作製、物性機能の探索と制御、デバイス応用の研究を行った。強磁性半導体とは、非磁性半導体に磁性元素を添加した混晶半導体であり、半導体と磁性体の両方の性質を持つため、固体物理学・材料科学上の課題を豊富に与えるとともに次世代エレトロニクス・デバイスを担う材料として期待できる材料である。新しいｐ型およびｎ型のFeべース強磁性半導体(Ga,Fe)Sb, (In,Fe)Sbを作製し、そのキュリー温度が室温を超えること、量子ヘテロ構造を作製し、スピントロニクスデバイス応用の可能性を示した。
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