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電子励起高密度ラジカル供給による単結晶ダイヤモンドの高効率エピタキシャル成長法

研究課題

研究課題/領域番号 16K14237
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関国立研究開発法人産業技術総合研究所

研究代表者

山田 英明  国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 研究員 (90443233)

研究分担者 金 載浩  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (30376595)
榊田 創  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長 (90357088)
連携研究者 榊田 創  産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 研究グループ長 (90357088)
研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2018-03-31
研究課題ステータス 完了 (2017年度)
配分額 *注記
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2016年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
キーワードダイヤモンド / プラズマCVD / マイクロストリップラインプラズマ / 結晶成長 / マイクロストリップライン(MSL)型プラズマ / マイクロ波プラズマ / 電子・電気材料 / 単結晶ダイヤモンド
研究成果の概要

マイクロストリップラインプラズマ源を用いて単結晶・多結晶ダイヤモンド合成を実施した。従来のプラズマ源では、原料ガス温度が高温である点や、合成領域が波長で制限されるなどの課題があるが、本手法では、これらの課題を克服できる可能性がある。実際に合成装置を構築し、安定な放電と、ダイヤモンド合成を確認した。原料ガス温度は従来のプラズマ源と比較して極めて低温であることも確認し、先に述べた従来手法の課題を原理的に克服できることを実証した。

報告書

(3件)
  • 2017 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2016 実施状況報告書
  • 研究成果

    (4件)

すべて 2017

すべて 雑誌論文 (1件) 学会発表 (3件) (うち国際学会 2件)

  • [雑誌論文] The growth of single crystal diamonds using a nonthemal microwave-excited plasma jet2017

    • 著者名/発表者名
      金 載浩、山田 英明、榊田 創
    • 雑誌名

      Proceedings of The 10th EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing

      巻: 1 ページ: 1-2

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] Development of an advanced microwave plasma source and its applications2017

    • 著者名/発表者名
      金 載浩、榊田 創、板垣 宏知 、山田 英明
    • 学会等名
      9th International Workshop on Plasma Scientech for All Something (PLASAS-9)
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 電子励起高密度ラジカル供給によるダイヤモンド成長2017

    • 著者名/発表者名
      金 載浩、榊田 創、板垣 宏知 、山田 英明
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] The growth of single crystal diamonds using a nonthemal microwave-excited plasma jet2017

    • 著者名/発表者名
      金 載浩、山田 英明、榊田 創
    • 学会等名
      The 10th EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会

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公開日: 2016-04-21   更新日: 2019-03-29  

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