| 研究課題/領域番号 |
16K14247
|
|---|
| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
|---|
| 研究機関 | 東京工業大学 |
|---|
研究代表者 |
若林 整 東京工業大学, 工学院, 教授 (80700153)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2017年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2016年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
|
|---|
| キーワード | 2次元層状半導体膜 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 二硫化モリブデン / 3次元成長 / 2次元成長 / 核形成 / スパッタ法 / 2D FET / 3D構造 / MISFET / MoS2 |
|---|
| 研究成果の概要 |
原子層状半導体の遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)を用いた二次元チャネル電界効果型トランジスタ(2D-MISFET)について、超高真空RFマグネトロンスパッタ法による二硫化モリブデン(MoS2)膜は、金属Dot側壁において基板表面法線方向3次元Fin形状が断面TEMで観察されたが、制御性に欠ける。一方、下地基板表面粗さによる結晶性の乱れをトリガーにしたMoS2 Fin形状を確認した。またRaman分光法によりその内部応用力は小さく、結晶性が高いことを確認した。以上、三次元MoS2膜を実現するには、パターニング部からの核発生よりも、TMDC膜の粒界制御の方が有効であることを見出した。
|
