| 研究課題/領域番号 |
16K14259
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
秋田 成司 大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60202529)
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| 連携研究者 |
有江 隆之 大阪府立大学, 工学研究科, 准教授 (80533017)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2016年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 原子層膜 / グラフェン / 硫化モリブデン / 光センサ / 界面トラップ / ナノ材料 / 原子層物質 / 界面制御 / フォトトランジスタ / 原子層 |
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| 研究成果の概要 |
本研究ではSi空乏層上にトンネル可能な薄いゲート絶縁膜をもつグラフェン電界効果トランジスタ（FET)およびMoS2-FETの光応答について界面における電荷の捕獲放出過程の観点から検討した。グラフェンFETの場合、トンネルバリア近傍にある捕獲中心とグラフェンとの間のキャリアの捕獲放出過程により過渡応答及び定常状態の特性が説明できることが明らかになった。また、FETの効果により従来よりも2桁程度感度が向上し単光子検出がほぼ実現できた。MoS2-FETの場合、ゲート絶縁膜界面に2nmのAl2O3バッファ層を挿入することで過渡応答特性が1万倍、明暗比が5桁と著しく特性を向上させることに成功した。
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