| 研究課題/領域番号 |
16K14380
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
舟窪 浩 東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (90219080)
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| 研究分担者 |
山田 智明 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (80509349)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2017年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 電気熱量効果 / 酸化ハフニウム強誘電性 / 酸化ハフニウム / 強誘電体 |
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| 研究成果の概要 |
0.07YO1.5-0.93HfO2（7YHO）膜は、室温製膜後にポストアニールする方法で作製しても、従来の製膜時に直接結晶化する方法で作製した場合と、ほぼ同じ強誘電性が得られることを明らかにした。
(111)配向した7YHOエピタキシャル膜の最大印加時の残留分極値の温度依存性を調べたところ、すべての印加電界で温度を上昇させると残留分極が増加する負の電気熱量効果が見積もられた。
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