| 研究課題/領域番号 |
16K14381
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
谷山 智康 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (10302960)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2016年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | マルチフェロイクス / マグノニクス / スピントロニクス / ナノ磁性 / 磁性 / スピンエレクトロニクス |
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| 研究成果の概要 |
電界によるマグノン生成とその伝播特性制御技術の礎を構築することを目的として研究を行った。垂直磁化とスピン-格子結合を併せ持つマグノン伝播媒体として、垂直磁化[Cu/Ni]多層膜および[Co/Ni]多層膜を強誘電体BaTiO3基板上にエピタキシャル成長することに成功した。これらの垂直磁化多層膜に対して、BaTiO3の構造相転移および電界効果に伴う磁気異方性の変調効果を観測することに成功した。さらに、垂直磁化[Cu/Ni]多層膜と面内磁化Ni連続膜における強磁性共鳴の共鳴周波数とマグノン群速度が大きく異なることが示され、磁化配向の電界制御により、マグノン伝播特性を制御可能であることが実証された。
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