研究課題/領域番号 |
16K14405
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研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
複合材料・表界面工学
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研究機関 | 京都大学 |
研究代表者 |
江利口 浩二 京都大学, 工学研究科, 教授 (70419448)
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研究分担者 |
巽 和也 京都大学, 工学研究科, 准教授 (90372854)
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研究協力者 |
魏 志強
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研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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配分額 *注記 |
3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2018年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2017年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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キーワード | プラズマ処理 / 表面処理 / ナノ構造 / 確率過程 / 欠陥 |
研究成果の概要 |
高信頼性が要求される機能素子での極微少量の欠陥形成の理解には、確率過程解析が必須である。本研究では、確率過程解析を用いて、ナノテクノロジーの主要材料である単結晶シリコン基板中の極微少量欠陥形成過程を中心に検討した。その結果、プラズマ曝露による欠陥形成が確率的過渡過程から統計的定常過程へと遷移することを見出した。また、入射イオンドーズ量依存性を、統計解析とあわせて確率解析によるモデル化を行った。さらに、金属系抵抗薄膜中の酸素欠損を経由した電子伝導経路形成が確率解析により記述できることを示した。高信頼性機能素子における欠陥形成の制御には、確率過程解析の実装が重要である。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
高信頼性機能材料中の原子レベルの欠陥形成過程は、これまで統計的ゆらぎ・バラツキに基づいたモデルで表現されていたが、本研究では、確率過程解析を実装した新しいモデル構築を目指した。種々の材料中の極微少量の局所欠陥構造の振る舞いを確率過程として捉え、確率解析により記述した。応用数学を有効活用した機能材料中の欠陥制御は新しい学術として幅広い工学分野への応用が期待される。
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