| 研究課題/領域番号 |
16K14406
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
複合材料・表界面工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
菅沼 克昭 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (10154444)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2017年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | Ag膜 / 接合 / ストレスマイグレーション / 拡散 / ヒロック / 強度 / 固相接合 / 銀 / 材料加工・処理 / 構造・機能材料 |
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| 研究成果の概要 |
銀（Ag）スパッタ膜を低膨張材料であるシリカ（SiO2）上に膜厚1μm厚さで形成し、250℃から400℃の間で60分間加熱し、Agヒロック形成状態の評価とSiO2同士の接合を実施。大面積への適用の可能性を明らかにするため、SiO2ブロックは20mm角の接合面とし、Ag膜の下にTi接合間層を形成し接合加圧力は0.4MPa、接合雰囲気は大気とした。接合体から3mm角の棒状の3点曲げ試験片を切り出し、接合強度の切り出し位置の依存性をヒロック形成状況と関連させて評価した。SMB接合法の大面積材料への適用においては十分に高強度な接合が可能であるが、周辺部の未接合領域が数百μmの幅で形成されることがある。
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