| 研究課題/領域番号 |
16K14446
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
金属・資源生産工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
長汐 晃輔 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (20373441)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2017年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2016年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | グラフェン / 2次元材料 / ファンでアワールスヘテロ / CVD / 直接成長 / h-BN / ヘテロ構造 / CVD成長 |
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| 研究成果の概要 |
次世代半導体チャネル材料として期待される2層グラフェンのギャップ形成には，原子レベルで平坦なh-BNとの複層化が重要である．触媒機能としてCu蒸気を外部から導入し，h-BN上へのグラフェン直接成長を試みた．しかしながら，金属触媒を色々検討したもののグラフェンの成長は困難であった．そこで，グラフェンと異なりバンドギャップを有する2次元結晶であるMoS2のCVD成長を試みた．SiO2/Si基板上に3角形状の単層MoS2の形成に成功した．また，2次元結晶の機械的なヘテロ構造作成手法を検討した．レンズ形状のPDMS/PMMAを用いて，温度を詳細に制御することで複層化が可能であることがわかった．
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