| 研究課題/領域番号 |
16K17507
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 |
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研究代表者 |
佐藤 真一郎 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 主任研究員(定常) (40446414)
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| 研究協力者 |
若原 昭浩
岡田 浩
出来 真斗
中村 徹
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2016年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 窒化ガリウム / ランタノイド / 単一光子源 / ランタノイド元素 / 単一光子発生 / 新機能材料 / 単一光子発生源 / 量子ビット |
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| 研究成果の概要 |
窒化ガリウム(GaN)半導体中のプラセオジム(Pr)原子は、光子を1個ずつ制御して生成できる発光源となり、量子情報通信などの基盤技術としての応用が期待できます。本研究では、フォトリソグラフィ技術とイオン注入技術、高温熱処理技術を組み合わせることにより、GaN中の1μm×1μm×50nmという微小領域へのPrの高濃度注入を実現しました。また、その微小領域におけるPrの発光分布を、共焦点顕微鏡を用いて、室温で高いコントラストで観測することに成功しました。更なる微細化と、注入したPrの高活性化、測定系の高感度化を行うことにより、単一Prからの単一光子発生を室温で観測・制御できる見通しを得ました。
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