| 研究課題/領域番号 |
16K17515
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 宮崎大学 |
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研究代表者 |
鈴木 秀俊 宮崎大学, 工学部, 准教授 (00387854)
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| 研究協力者 |
福山 敦彦
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2018年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2017年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | 希薄窒化物半導体 / 原子層エピタキシー / 太陽電池 / 結晶成長 / 窒素局在準位 / III-V族半導体 / GaAsN / Atomic Layer Epitaxy / Photo Reflectance / Dilute Nitride / 半導体物性 |
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| 研究成果の概要 |
GaAs中に数%程度のN原子を含む希薄窒化物半導体は、GaAsNは、多接合太陽電池の材料として期待されているが、N原子導入による電気特性悪化が問題となる。この原因として、膜中のN原子の空間分布の偏りが指摘されているが、直接観察することは困難であった。
本研究では、原子１層ごとの原子分布が可能な原子層エピタキシー法を用い、N原子分布を意図的に制御したGaAsN薄膜の作製に成功した。また、作製した試料の電気特性評価から、N原子の分布が、電気特性に影響を与える事を直接観察した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では、希薄窒化物半導体中のN原子分布を意図的に制御した薄膜の作製に成功し、N原子分布が電気特性に影響を与えることを直接観察した。この結果は、本材料系の高品質化に重要な知見であるとともに、希薄窒化物半導体の物性を明らかにする上での学術的意義が大きい。本材料系は、太陽電池以外にもレーザーあるいは光電子集積回路への応用も期待されたおり、新規デバイス作成へにつながる成果である。
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