| 研究課題/領域番号 |
16K17516
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 一般財団法人ファインセラミックスセンター |
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研究代表者 |
姚 永昭 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (80523935)
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| 研究協力者 |
石川 由加里 ファインセラミックスセンター, 材料技術研究所, 主席研究員
菅原 義弘 ファインセラミックスセンター, ナノ構造研究所, 上級研究員
高橋 由美子 高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 研究員
平野 馨一 高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2017年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2016年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | gallium oxide / dislocation / X-ray topography / etch pit / TEM / 結晶欠陥 / 転位 / エッチピット / 放射光トポグラフィ / バーガースベクトル / 透過型電子顕微鏡 / 結晶品位 / X線トポグラフィー / 半導体材料 / 単結晶 / 酸化ガリウム / 化学エッチング |
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| 研究成果の概要 |
高電圧且つ大電流のパワーデバイスにおいては、転位の存在がデバイス性能の低下や短寿命化の要因となる。新規パワー半導体材料Ga2O3の転位を低減するために必要な転位検出・分類技術を確立することを目的とした。
本研究は、Ga2O3単結晶の結晶性を多面的に評価した上で、種々の転位を短時間で簡易且つ正確に検出・分類できる化学的エッチング手法を確立した。更に、X線回折技術や電子顕微鏡観察により、上記エッチング転位検出法の正しさを証明した。
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