| 研究課題/領域番号 |
16K17517
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
林 冠廷 東京大学, 生産技術研究所, 特任助教 (70772309)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2017年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2016年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | Near-field microscopy / THz image / Noise image / Graphene / Current crowding effect / 走査プローブ顕微鏡 |
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| 研究成果の概要 |
ナノデバイスにおける電荷キャリアの非平衡ダイナミクスを検出することは、何十年もの間依然として課題である。この問題を解決するため、本研究ではパッシブTHz散乱型近接場顕微鏡を用いて観測の実現を目指した。
グラフェン試料では、過剰ノイズによる表面付近の電磁エバネッセント波をイメージングした。金属試料では、電流による熱励起エバネッセント波を得た。GaAs半導体試料では、非線形領域において狭窄領域から伸びる近接場信号が検出されており、ホットエレクトロンのエネルギー散逸に起因すると考えられる。以上から，開発したTHz近接場顕微鏡が、デバイス産業および新規材料研究へ応用することが期待できる。
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