| 研究課題/領域番号 |
16K17518
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
吉本 真也 東京大学, 物性研究所, 助教 (90507831)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2017年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 液体金属 / 有機トランジスタ / 有機半導体 / 4端子電気伝導測定 / 表面・界面物性 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では液体金属ガリウムインジウム(GaIn)をタングステン(W)探針に付着させたGaIn探針を開発し、これまでの手法では測定が困難であった有機半導体単分子膜の4探針電気伝導測定を初めて行った。その結果、ペンタセン単分子膜の電界効果移動度がガス暴露に対して非常に敏感に変化することを見出した。また、有機半導体薄膜に対して電界効果移動度の異方性測定を行い、非常に高い異方性を精密に測定することに成功した。
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