| 研究課題/領域番号 |
16K17520
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究(B)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
|
|---|
| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
|---|
研究代表者 |
土屋 敬志 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究員 (70756387)
|
|---|
| 研究協力者 |
寺部 一弥 国立研究開発法人・物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス拠点, MANA主任研究者 (60370300)
樋口 透 東京理科大学, 理学部第一部応用物理学科, 准教授 (80328559)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2017年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2016年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
|
|---|
| キーワード | 固体イオニクス / 抵抗変化メモリ / 不揮発性メモリ / ナノイオニクス / 酸化還元トランジスタ / 原子スイッチ / 抵抗変化型メモリ / 酸化物薄膜 / イオニクス / 電子デバイス・機器 / マイクロ・ナノデバイス |
|---|
| 研究成果の概要 |
本研究では抵抗変化型メモリにトランジスタ構造を採用することでイオン伝導層と電子伝導層を分担化し、特性向上や新機能の発現を目指した。まずH+・電子混合伝導性WO3薄膜を用いてH+挿入、及び酸素量変化で動作する酸化還元トランジスタを作製した。可逆的スイッチ特性のみならず、ニューロモルフィック素子に利用可能な短期・長期記憶に対応する抵抗変化を示した。次に強相関酸化物SrVO3に注目し、Li+及びH+伝導性薄膜を用いて酸化還元トランジスタを作製した。抵抗変化率のイオン種への依存性から還元反応に伴うV-O-V結合角変化の移動度への影響が示唆され、イオン種や歪の最適化による特性向上の可能性が示された。
|
