| 研究課題/領域番号 |
16K17533
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
光工学・光量子科学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (2017-2018)
名古屋工業大学 (2016) |
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研究代表者 |
Zhang Kexiong 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 産総研特別研究員 (80774463)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2017年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2016年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | GaN / LED / Polarization Engineering / Tunneling Junction / polarization / tunneling junction / Long Wavelength / Polarization Effect / Semiconductor Device / 2-dimensional hole gas / エピタキシャル / 量子井戸 / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / 結晶成長 |
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| 研究成果の概要 |
The theory of polarization engineering was applied into the design of device structure of InGaN/GaN LED. At the end of the project, new device processing and epitaxial structure for long wavelength LED was developed.
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
This research propose a novel device structure with advanced device theory toward the issue of developing high efficiency red and yellow InGaN/GaN LED.
The research has great potential in overcome the basic problem of InGaN/GaN LED to mitigate "the green gap".
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