| 研究課題/領域番号 |
16K17537
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
大江 武彦 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 主任研究員 (30443170)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2017年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2016年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 量子ホール効果 / 化合物半導体 / 二次元電子系 / 抵抗標準 / 高抵抗精密測定 / 量子ホールアレー素子 / GaAs/AlGaAsヘテロ接合素子 / コンタクト抵抗 / 量子化高抵抗 / GaAs/AlGaAs二次元電子系 / 直流抵抗標準 / 量子メトロロジートライアングル / 極低温電流比較器 / GaAs/AlGaAsヘテロ構造 / HEMT / GaAs/AlGaAs |
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| 研究成果の概要 |
高抵抗の測定技術の高度化を目的として、量子化高抵抗素子の開発を行った。直流抵抗の国家標準に用いられる量子ホール素子を直並列に組み合わせ、1 MΩの量子化抵抗値を示す量子ホールアレー素子を開発し、その精密評価を行った。集積化される個々の量子ホール素子は、二次元電子系へ良質なコンタクトを形成している必要があるため、アレー素子の開発に先立ち、個々のホール素子の歩留まり向上に取り組んだ。その結果を用いて1 MΩ量子ホールアレー素子を作製し、その量子化抵抗値が高い精度で設計値に一致していることを確認した。またその素子を用いて従来の測定システムの評価を行い、高い測定能力を維持できていることを確認した。
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