| 研究課題/領域番号 |
16K17875
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機化学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
平井 健二 北海道大学, 電子科学研究所, 准教授 (10754400)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2017年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2016年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 配位高分子 / 金属硫化物 / キラル光学材料 / 光触媒 / ナノマテリアル / 水素発生 / レーザー加熱 / キラル材料 / 金属酸化物 / 光学材料 / 触媒 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、配位高分子の加熱分解によってナノ・マイクロスケールの無機構造体の合成法を開発した。(i)右巻きと左巻きの螺旋状配位高分子から螺旋状の金属硫化物の合成に成功した。このらせん状の金属硫化物は円偏光二色性を示し、ナノスケールの形状に依存した光学特性を示した。(ii)配位高分子ナノワイヤから光触媒能を有する金属硫化物ナノワイヤの合成に成功した。得られた金属硫化物ナノワイヤは表面が有機保護剤で被覆されていないため、基質がアクセスしやすく、可視光水素発生の触媒能において、従来法のナノワイヤよりも高い活性を示した。これらの結果より、配位高分子を前駆体とした合成法の優位性を示すことが出来た。
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