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電場誘起型モット転移を用いた純電子的抵抗変化メモリの創製

研究課題

研究課題/領域番号 16K18073
研究種目

若手研究(B)

配分区分基金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関北海道大学

研究代表者

福地 厚  北海道大学, 情報科学研究科, 助教 (00748890)

研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2019-03-31
研究課題ステータス 完了 (2018年度)
配分額 *注記
3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2018年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2017年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
キーワード酸化物エレクトロニクス / 金属絶縁体転移 / 抵抗変化メモリ / エピタキシャル成長 / 強相関電子系 / エピタキシャル薄膜 / 固相エピタキシャル成長法 / 抵抗変化型メモリ / ルテニウム酸化物 / モット転移 / 酸化物薄膜 / 強相関電子材料 / 強相関エレクトロニクス / 電子・電気材料 / 先端機能デバイス / ナノ材料 / マイクロ・ナノデバイス
研究成果の概要

強相関電子系物質における金属絶縁体転移を電子デバイスに応用する試みが近年盛んとなっており、材料の電気抵抗変化を利用した抵抗変化メモリ素子等について活発な検討がなされている。本研究では近年実験的に見出された新現象である電場誘起型の金属絶縁体転移に着目し、物性解明とデバイス応用を目指し実験を行った。その結果、電場誘起型の金属絶縁体転移材料の一つであるCa2RuO4において、良質なエピタキシャル薄膜の成長に初めて成功し、さらには作製した薄膜において電場誘起型とみられる金属絶縁体転移の観測に成功した。

研究成果の学術的意義や社会的意義

電場誘起型の金属絶縁体転移物質は、固体物理学的に未解明の現象を多く含む興味深い物質群であるとともに、電子デバイス応用に対しても高い可能性を持つ事が指摘されているが、良質な薄膜の作製が困難であるために、物性理解やデバイス開発が進展されていない状況にある。本研究では電場誘起型の金属絶縁体物質として近年注目を集めているCa2RuO4において、良質な薄膜の成長に初めて成功し、また薄膜での電場誘起型転移の観測にも成功した。これらの結果は、金属絶縁体転移に関わる多くの未解明現象の解明と、将来的にはメモリ素子の飛躍的な性能向上にもつながる事が期待される、重要な成果である。

報告書

(4件)
  • 2018 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2017 実施状況報告書
  • 2016 実施状況報告書
  • 研究成果

    (64件)

すべて 2019 2018 2017 2016

すべて 雑誌論文 (8件) (うち国際共著 2件、 査読あり 7件、 謝辞記載あり 1件) 学会発表 (55件) (うち国際学会 24件、 招待講演 6件) 図書 (1件)

  • [雑誌論文] Smooth Interfacial Scavenging for Resistive Switching Oxide via the Formation of Highly Uniform Layers of Amorphous TaOx2018

    • 著者名/発表者名
      Tsurumaki-Fukuchi Atsushi、Nakagawa Ryosuke、Arita Masashi、Takahashi Yasuo
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials & Interfaces

      巻: 10 号: 6 ページ: 5609-5617

    • DOI

      10.1021/acsami.7b15384

    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] EELS Analysis of Oxygen Scavenging Effect in a Resistive Switching Structure of Pt/Ta/SrTiO3/Pt2018

    • 著者名/発表者名
      Tsurumaki-Fukuchi Atsushi、Nakagawa Ryosuke、Arita Masashi、Takahashi Yasuo
    • 雑誌名

      MRS Advances

      巻: - 号: 33 ページ: 1-6

    • DOI

      10.1557/adv.2018.12

    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical Characteristics of Single-Electron Transistor Made of Fe-MgF2 Single-Layer Granular Thin Films2018

    • 著者名/発表者名
      Asai Yuki、Honjo Shusaku 、Gyakushi Takayuki、Tsurumaki-Fukuchi Atsushi、Arita Masashi、Takahashi Yasuo
    • 雑誌名

      IEICE Technical Report

      巻: 117 ページ: 1-6

    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [雑誌論文] In-situElectron Microscopy of Cu Movement in MoOx/Al2O3Bilayer CBRAM during Cyclic Switching2017

    • 著者名/発表者名
      Ishikawa Ryusuke、Hirata Shuichiro、Tsurumaki-Fukuchi Atsushi、Arita Masashi、Takahashi Yasuo、Kudo Masaki、Matsumura Syo
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 80 号: 10 ページ: 903-910

    • DOI

      10.1149/08010.0903ecst

    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Observation of Conductive Filament in CBRAM at Switching Moment2017

    • 著者名/発表者名
      Muto Satoshi、Yonesaka Ryota、Tsurumaki-Fukuchi Atsushi、Arita Masashi、Takahashi Yasuo
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 80 号: 10 ページ: 895-902

    • DOI

      10.1149/08010.0895ecst

    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] (Invited) Evaluation of Coupled Triple Quantum Dots with Compact Device Structure2017

    • 著者名/発表者名
      Takahashi Yasuo、Uchida Takafumi、Tsurumaki-Fukuchi Atsushi、Arita Masashi、Fujiwara Akira
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 80 号: 4 ページ: 173-180

    • DOI

      10.1149/08004.0173ecst

    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Probing electrochemistry at the nanoscale: in situ TEM and STM characterizations of conducting filaments in memristive devices2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Yang, Y. Takahashi, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, M. Moors, M. Buckwell, A. Mehonic, A. Kenyon
    • 雑誌名

      Journal of Electroceramics

      巻: - 号: 1-4 ページ: 73-93

    • DOI

      10.1007/s10832-017-0069-y

    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Capacitance evaluation of compact silicon triple quantum dots by simultaneous gate voltage sweeping2016

    • 著者名/発表者名
      T. Uchida, M. Jo, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 120 号: 23 ページ: 234502-234502

    • DOI

      10.1063/1.4972197

    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [学会発表] Fast and uniform interface reactions of tantalum oxide and their applications into memory devices2019

    • 著者名/発表者名
      A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, and Y. Takahashi
    • 学会等名
      the 2019 Collaborative Conference on Materials Research (CCMR2019)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜単電子トランジスタにおける等周期クーロン振動特性の解析2019

    • 著者名/発表者名
      瘧師 貴幸, 浅井 佑基, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 高抵抗動作を目指したCu上部電極型Ta2O5-d抵抗変化多値メモリ2019

    • 著者名/発表者名
      李 遠霖, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫, 森江 隆
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 低電流動作時のCu/MoOx/Al2O3 CBRAMにおけるCu-CFの観察2019

    • 著者名/発表者名
      石川 竜介, 有馬 克紀, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫, 工藤 昌輝, 松村 晶
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] CBRAMのフォーミング過程におけるTEMその場観察2019

    • 著者名/発表者名
      武藤 恵, 酒井 慎弥, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 界面エンジニアリング効果によるPt/Nb:SrTiO3接合の伝導特性の制御2019

    • 著者名/発表者名
      蔦 佑輔, 福 地厚, 有田 正志, 高橋 庸夫
    • 学会等名
      第54回応用物理学会北海道支部学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Ag/WOx/Pt平面型CBRAMにおける金属イオン移動のTEMその場観察2019

    • 著者名/発表者名
      酒井 慎弥, 武藤 恵, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫
    • 学会等名
      第54回応用物理学会北海道支部学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 単層FeMgF2グラニュー単電子トンジスタにおける等周期クーロン振動の解析2019

    • 著者名/発表者名
      瘧師 貴幸, 浅井 佑基, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫
    • 学会等名
      第54回応用物理学会北海道支部学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Observations on the interfacial redox reactions in metal-oxide memristive devices2018

    • 著者名/発表者名
      A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, and Y. Takahashi
    • 学会等名
      EMN Meeting on Titanium-Oxides
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Double-gate single-electron transistor characteristics of single-layer Fe-MgF2 granular films2018

    • 著者名/発表者名
      T. Gyakushi, Y. Asai, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita and Y. Takahashi
    • 学会等名
      the 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2018)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Shape change dynamics of Cu filament in double layer CBRAM2018

    • 著者名/発表者名
      R. Ishikawa, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, M. Kudo, and S. Matsumura
    • 学会等名
      the 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2018)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Analog memory devices for time-domain weighted-sum calculation circuits2018

    • 著者名/発表者名
      K. Yamashita, M. Harada, T. Morie, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, S. Samukawa
    • 学会等名
      the 15th International Conference on Flow Dynamics (ICFD2018)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Multilevel memory characteristics of Ta/Ta2O5-d ReRAM for the application of neural network2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Li, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, H. Ando, T. Morie, and S. Samukawa
    • 学会等名
      the 15th International Conference on Flow Dynamics (ICFD2018)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Enhanced defect formation at metal/oxide interfaces and its application to resistive memory devices2018

    • 著者名/発表者名
      A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, and Y. Takahashi
    • 学会等名
      the 7th International Symposium on Transparent on Conductive Materials (TCM2018)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] ダブルゲートFe-MgF2単電子トランジスタの作製と評価2018

    • 著者名/発表者名
      瘧師 貴幸, 浅井 佑基, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 単層Fe-MgF2 グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      浅井 佑基, 瘧師 貴幸, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] TaOx界面層を用いたPt/Nb:SrTiO3接合の伝導特性制御2018

    • 著者名/発表者名
      蔦 佑輔, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Cu上部電極を用いたTa2O5-d 抵抗変化型多値メモリ特性の実現2018

    • 著者名/発表者名
      李 遠霖, 勝村 玲音, M. Grönroos, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫, 安藤 秀幸, 森江 隆
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Cu/MoOx/Al2O3 CBRAMの微小領域におけるフィラメント形状観察2018

    • 著者名/発表者名
      石川 竜介, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫, 工藤 昌輝, 松村 晶
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Tunnel Magnetocapacitance in Single-layered Fe/MgF2 Granular Films2018

    • 著者名/発表者名
      R. Msiska, S. Honjo, Y. Asai, M. Arita, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi, N. Hoshino, T. Akutagawa, O. Kitakami, M. Fujioka, J. Nishii, and H. Kaiju
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Study on tunnel magnetocapacitance in Fe/MgF2 Nanogranular films2018

    • 著者名/発表者名
      R. Msiska, S. Honjo, Y. Asai, M. Arita, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi, N. Hoshino, T. Akutagawa, O. Kitakami, M. Fujioka, J. Nishii, and H. Kaiju
    • 学会等名
      第4回マテリアルズ・インフォマティクス基礎研究会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Study on interfacial redox reactions of tantalum as a good scavenger material in ReRAM devices2018

    • 著者名/発表者名
      A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, and Y. Takahashi
    • 学会等名
      the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] In-situ electron microscopy to investigate resistive RAM operations2018

    • 著者名/発表者名
      M. Arita, A. Tsurumaki-Fukuchi, and Y. Takahashi
    • 学会等名
      the 2018 Collaborative Conference on Materials Research (CCMR2018)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] In-situ TEM investigation on instability of ReRAM switching2018

    • 著者名/発表者名
      S. Muto, S. Sakai, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, and Y. Takahashi
    • 学会等名
      EMRS 2018 Spring Meeting
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Investigation for multilevel memory vapability of ReRAM using Ta2O5-d insulator2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Li, R. Katsumura, M. K. Grönroos, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, H. Ando, T. Morie, and Y. Takahashi
    • 学会等名
      2018 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2018)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 電流経路TEM観察のための簡易型EBACシステムの試作2018

    • 著者名/発表者名
      藤田 順, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫
    • 学会等名
      日本顕微鏡学会第74回学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Oxygen distribution around filament in Ta-O resistive RAM fabricated using 40 nm CMOS technology2018

    • 著者名/発表者名
      M. Arita, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi, Z. Wei, S. Muraoka, S. Ito, and S. Yoneda
    • 学会等名
      2018 IEEE 10th International Memory Workshop (IMW 2018)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 固相エピタキシャル成長法による常圧成長Ca2RuO4薄膜の伝導特性2018

    • 著者名/発表者名
      安田 将太、福地 厚、有田 正志、高橋 庸夫
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] CBRAMの動作不安定性に関するTEMその場観察2018

    • 著者名/発表者名
      武藤 恵、酒井 慎弥、福地 厚、有田 正志、高橋 庸夫
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] 酸素欠陥を導入したTa2O5-δ抵抗変化型多値メモリ特性の検討2018

    • 著者名/発表者名
      李 遠霖、勝村 玲音、Mika Gronroos、福地 厚、有田 正志、高橋 庸夫、安藤 秀幸、森江 隆
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] 単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの電気特性2018

    • 著者名/発表者名
      浅井 佑基、本庄 周作、瘧師 貴幸、福地 厚、有田 正志、高橋 庸夫
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] 固相エピタキシャル成長法による金属性Ca2RuO4薄膜の作製2018

    • 著者名/発表者名
      安田 将太、福地 厚、有田 正志、高橋 庸夫
    • 学会等名
      第53回応用物理学会北海道支部学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] 反応性スパッタ法により作製したTiOx系ReRAMの多値特性2018

    • 著者名/発表者名
      福本 泰士、福地 厚、有田 正志、高橋 庸夫
    • 学会等名
      第53回応用物理学会北海道支部学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] 超平坦a-TaOx薄膜を用いた抵抗変化メモリ動作における導電性フィラメントの直接観察2017

    • 著者名/発表者名
      福地 厚, 有田 正志, 片瀬 貴義, 太田 裕道, 高橋 庸夫
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 横浜
    • 年月日
      2017-03-16
    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
  • [学会発表] ナノギャップ型抵抗変化メモリにおけるギャップ間金属移動の動的観察2017

    • 著者名/発表者名
      武藤 恵、酒井 慎弥、福地 厚、有田 正志、高橋 庸夫
    • 学会等名
      平成29年度日本顕微鏡学会北海道支部学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] Investigations on Oxygen Scavenging Effect at Metal/Oxide Interfaces for Reliable Memory Applications2017

    • 著者名/発表者名
      R. Nakagawa, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, and Y. Takahashi
    • 学会等名
      2017 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] ReRAM Switching in Planar-Type Structures of Ag/WOx/Pt Studied by in-Situ TEM2017

    • 著者名/発表者名
      S. Sakai, S. Muto, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, and Y. Takahashi
    • 学会等名
      the 29th Internat. Microprocesses and Nanotechno. Conf. (MNC 2017)
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Single Electron Transistor Characteristics of Fe-MgF2 Single-Layer Granular Films2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Asai, S. Honjo, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, and Y. Takahashi
    • 学会等名
      the 29th Internat. Microprocesses and Nanotechno. Conf. (MNC 2017)
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Realization of Analog Memory Using Ta2O5 Based ReRAM for the Application of Neural Network2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Li, R. Katsumura, M. K. Gronroos, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, H. Andoh, and T. Morie
    • 学会等名
      the 14th International Conference on Flow Dynamics (ICFD2017)
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] In-Situ Electron Microscopy of Cu Movement in MoOx/Al2O3 Bilayer CBRAM during Cyclic Switching Process2017

    • 著者名/発表者名
      R. Ishikawa, S. Hirata, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi, M. Kudo, and S. Matsumura
    • 学会等名
      the 232nd ECS Meeting
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Observation of Conductive Filament in CBRAM at Switching Moment2017

    • 著者名/発表者名
      S. Muto, R. Yonesaka, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, and Y. Takahashi
    • 学会等名
      the 232nd ECS Meeting
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Evaluation of Coupled Triple Quantum Dots with Compact Device Structure2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, and A. Fujiwara
    • 学会等名
      the 232nd ECS Meeting
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] In-situ Observation of Cu Residuals in Resistance Switching Failure of MoOx/Al2O3 CBRAM2017

    • 著者名/発表者名
      M. Arita, R. Ishikawa, S. Hirata, A. Turumaki-Fukuchi, and Y. Takahashi
    • 学会等名
      2017 Internat. Conf. Sol. Stat. Dev. Mater. (SSDM 2017)
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Fe-MgF2グラニュラー膜における単電子トランジスタ特性の評価2017

    • 著者名/発表者名
      浅井 佑基、本庄 周作、福地 厚、有田 正志、高橋 庸夫
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] ナノスケールReRAM/CBRAMデバイスのIn-situ TEM解析2017

    • 著者名/発表者名
      高橋 庸夫、福地 厚、有田 正志
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Ag/WOx/Pt平面型抵抗変化メモリのTEMその場観察2017

    • 著者名/発表者名
      酒井 慎弥、武藤 恵、福地 厚、有田 正志、高橋 庸夫
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] 金属/酸化物接合における界面金属層による酸素欠陥生成効果の評価2017

    • 著者名/発表者名
      中川 良祐、福地 厚、有田 正志、高橋 庸夫
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] RRAM Device Operation Investigated using In-situ TEM2017

    • 著者名/発表者名
      M. Arita, A. Tsurumaki-Fukuchi, and Y. Takahashi
    • 学会等名
      Non-Volatile Memory Technology Symposium 2017 (NVMTS2017)
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Evaluation of Multilevel Memory Capability of ReRAM Using Ta2O52017

    • 著者名/発表者名
      Y. Li, R. Katsumura, M. K. Grönroos, A. Tsurumaki‐Fukuchi, M. Arita, H. Ando, T. Morie, and Y. Takahashi
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop 2017
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] In-situ TEM法によるMoOx/Al2O3 抵抗変化メモリのデバイス劣化観察2017

    • 著者名/発表者名
      石川 竜介、平田 周一郎、福地 厚、 有田 正志、高橋 庸夫
    • 学会等名
      第73回日本顕微鏡学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] 反応性スパッタ法により作製したTiOx系ReRAMの電気特性評価2017

    • 著者名/発表者名
      福本 泰士, 勝村 玲音, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 横浜
    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
  • [学会発表] MoOx/Al2O3CBRAMの繰返しスイッチ過程におけるCu移動の直接観察2017

    • 著者名/発表者名
      平田 周一郎, 石川 竜介, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫, 工藤 昌輝, 松村 晶
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 横浜
    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
  • [学会発表] Switching operation of double-layer conductive bridging RAM investigated using in-situ transmission electron microscopy2016

    • 著者名/発表者名
      M. Arita, S. Hirata, A. Takahashi, T. Hiroi, M. Jo, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi
    • 学会等名
      2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba Internat. Cong. Center, Tsukuba
    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 高均一TaOx薄膜を用いた抵抗変化動作の局所的評価2016

    • 著者名/発表者名
      福地 厚, 有田 正志, 片瀬 貴義, 太田 裕道, 高橋 庸夫
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ,新潟
    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
  • [学会発表] Investigation of resistive switching memory effect in a-TaOx films with atomically flat surface2016

    • 著者名/発表者名
      A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, T. Katase, H. Ohta
    • 学会等名
      24th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy
    • 発表場所
      Hawaii Convention Center, Honolulu, HI, USA
    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [図書] Memristor and Memristive Neural Networks2018

    • 著者名/発表者名
      Masashi Arita, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi and Yasuo Takahashi
    • 総ページ数
      314
    • 出版者
      In Tech
    • ISBN
      9789535139485
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書

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公開日: 2016-04-21   更新日: 2020-03-30  

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