| 研究課題/領域番号 |
16K18075
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 (2018)
東京大学 (2016-2017) |
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研究代表者 |
松下 雄一郎 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任講師 (90762336)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2018年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 炭化ケイ素 / 第一原理計算 / 界面欠陥 / 炭素欠陥 / DFT / 界面準位 / MOSデバイス / SiC / 単一光子光源 / 界面 / POCl3 / 酸化 / 基礎物理学 / 界面物性 |
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| 研究成果の概要 |
SiC/SiO2界面に存在する高密度界面準位の特定に取り組んだ。その結果、界面準位の候補として①界面における残留炭素関連欠陥と、②SiCの伝導帯下端の特異な電子状態に由来する新奇界面準位であること、を第一原理計算により明らかにした。①の欠陥に関しては、欠陥構造のエネルギー安定性を計算することによりその候補を絞り込むことに成功した。②に関しては、本研究で初めて明らかにしたもので、界面近傍の積層構造に由来する新しいタイプの界面欠陥準位であることを明らかにした。また、得られた結果は近年の実験報告とも定性的に整合することを明らかにした。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
現在、SiC-MOSデバイス研究開発が全世界的に競争を増している。その中でも、多くの研究者が強い関心を集めているのが界面準位の特定である。今回の研究成果では、その界面準位の候補を絞り込むことに成功した。これまでの理論のアプローチとは異なるエネルギー論に立脚したアプローチを用いることにより、初めて達成した。本成果は、デバイス開発にとっての極めて重要な知見であり、さらなるデバイス開発に向けての指針を与えるものである。SiC-MOSデバイス開発にとって重大な成果が得ることが出来た。
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