| 研究課題/領域番号 |
16K18077
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
出来 真斗 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (80757386)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2018年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2017年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 窒化ガリウム / 深い準位 / DLTS / DLOS / SSPC / MOSFET / 界面準位 / GaN SBD / GaN-MIS / Power Device / Deep Levels / GaN / SBD / 電子工学 / 絶縁膜 / 電子・電気材料 / 電子デバイス・機器 / 表面・界面物性 |
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| 研究成果の概要 |
光容量法およびDLTS法を用いて窒化物半導体における深い準位の測定および絶縁膜/GaN界面における界面準位測定を行った。光容量測定装置およびDLTS測定装置を構築し、GaN-SBDにおける深い準位測定を行った結果、光容量測定に置いて、DLTS法では確認できなかった1～2eVの深い準位の測定に成功した。また、絶縁膜/GaN界面における深い準位に関しては、CV法を用いてALD-GaNMOSキャパシタの界面準位を測定した。界面準位を評価した結果、オゾン曝露試料において、ヒステリシスが改善され、VFBも理想値に近づき、DMOSFETにおけるチャネル移動度向上を達成した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
これまでの光容量法に関する報告では、欠陥密度の光子エネルギー依存性を測定する際に、1つの光子エネルギーあたり5分程度の測定時間を要していたが、本測定では0.5sec程度の時間スケールで静電容量の過渡応答を測定するため、測定時間を短縮可能であり、研究の加速化が図れる。今回申請者が提案した装置を用いることで、DLOS、DLTS、およびMCTSから得られた欠陥準位とデバイス特性との対応が取れると予想される。一方で、これらの測定手法を統合的に用いて GaNデバイス中の結晶欠陥分布と起源を明らかにする報告は無く、世界に先駆けてGaNパワーデバイス実現に向けた意義ある研究と言える。
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