| 研究課題/領域番号 |
16K18081
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 長野工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
百瀬 成空 長野工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授 (00413774)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2017年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2016年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 薄膜太陽電池 / 化合物半導体 / 薄膜の作成と評価 / 硫化物 / 硫化物半導体 |
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| 研究成果の概要 |
本課題では，環境低負荷材料のみで構成され，かつ高効率太陽電池への可能性が期待できるCu2(Sn,Si)S3（CTSiS）の製膜に挑んだ。高性能太陽電池に求められる「禁制帯幅Eg：1.2 eV」を，Snの約12％をSiに置き換えることにより実現した。結晶粒径の増大には620℃以上の高温硫化とNaの添加が有効であったが，高温で硫化することでEg=1.6eVの異相に転移してしまうこともわかった。Si組成の面内分布はターゲット材料の念入りな前処理によって均質化されたが，硫化処理中にSiが気化する問題も残された。
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