| 研究課題/領域番号 |
16K18094
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 日本大学 |
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研究代表者 |
呉 研 日本大学, 理工学部, 助手 (80736455)
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| 研究協力者 |
岩波 悠太
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2017年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2016年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | TFET / 重イオン照射 / SOI構造 / 寄生バイポーラ効果 / ソフトエラー / Single event effect / SOI / Parasitic bipolar effect |
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| 研究成果の概要 |
本研究ではデバイスシミュレーションを用いてTFETの耐放射線効果の評価を行い、TFETの単体動作時、CMOS動作時に放射線照射を受けた場合、重イオン照射によって誘起電流及び出力電圧の低下が確認でき、これらはTFETのpin構造が寄生バイポーラ効果を抑えたことによることが確かめられた。また、本研究最大の目的であるpin構造を有する単体TFETと従来型MOSFETを同条件で作製し、デバイスが照射によって過渡現象の観察、電流発生は観察でき、代表的なデータからTFET単体の誘起電流発生量が従来型MOSFETに対して低減された結果を見て取れる。
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