| 研究課題/領域番号 |
16K18119
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
計測工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
木津 良祐 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 研究員 (40760294)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2018年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2017年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2016年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 原子間力顕微鏡（AFM） / 線幅校正 / ナノ計測 / 不確かさ / 原子間力顕微鏡(AFM) / 線幅 / 原子間力顕微鏡 / AFM / 走査プローブ顕微鏡 |
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| 研究成果の概要 |
原子間力顕微鏡（AFM）を用いてナノスケールの半導体ラインパターンの線幅を校正した際の不確かさを低減することを目的として、線幅計測結果からAFM探針形状幅を補正する技術を開発した。これを適用した線幅計測の不確かさ評価を行った結果、校正値の拡張不確かさ（包含係数k=2）を従来の約13 nmから今回1.0 nmへ低減できた。従来最も大きな不確かさであった探針形状の影響に起因した不確かさを低減できたことが線幅校正値の不確かさ低減に大きく寄与した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
半導体デバイス製造において、微細加工技術で作製されたナノ構造の形状計測はデバイス性能や製造歩留まりの向上に欠かせない。また、計測装置間の結果のずれを防ぐためには、正確な（長さ標準にトレーサブルな）計測が重要となる。本研究では、半導体ラインパターンの代表的な形状評価パラメータである線幅を精密・正確に計測するために、AFM探針形状を高精度に補正する技術を開発した。その結果、微小なラインパターン線幅を拡張不確かさ1.0 nmで校正することが可能になった。
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