研究課題/領域番号 |
16K18237
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
無機材料・物性
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研究機関 | 九州工業大学 |
研究代表者 |
堀出 朋哉 九州工業大学, 大学院工学研究院, 准教授 (70638858)
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研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2017年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2016年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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キーワード | 薄膜 / ひずみ / ナノコンポジット / 超伝導 / 熱電変換 / カルコゲナイド / 超伝導材料 / 熱電材料 / 複合材料・物性 / 結晶工学 / エピタキシャル / 半導体物性 / 超伝導材料・素子 |
研究成果の概要 |
本研究ではFeSe超伝導薄膜とSnSe熱電変換膜を作製し、ひずみ等の構造による特性制御の可能性を検討した。パルスレーザー蒸着を用いてc軸配向FeSe膜およびa軸配向SnSe膜を作製した。FeSeではSrTiO3を導入しナノコンポジット薄膜も作製し、FeSeに引張ひずみを導入することに成功した。SnSeではターゲットにおけるSe量を変化させ、膜の基本的熱電変換特性の制御を行った。電気伝導度は0.1S/cm(室温)、9.8S/cm(300℃)となり、250-500℃の高温では単結晶の電気伝導度よりも大きな値が得られた。
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