| 研究課題/領域番号 |
16K21007
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
結晶工学
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
宮下 直也 東京大学, 先端科学技術研究センター, 特任助教 (20770788)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2017年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2016年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
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| キーワード | III-V semiconductor / Dilute nitride / Hydrogen modification / Solar cell / 希釈窒化物半導体 / III-V族化合物半導体 / 太陽電池 / 窒素水素結合 / MBE / N-H結合 |
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| 研究成果の概要 |
希釈窒化物半導体GaInNAsの有機金属気相成長（MOCVD）時の重要な課題の一つである水素原子混入に起因した半導体物性変調効果について、炭素等の他の外因不純物の影響から切り分け、実験的側面から様々な知見を得た。水素付加によるGaInNAs太陽電池特性の劣化はキャリア密度上昇、および新たに生成される深準位欠陥に起因するものであり、水素原子を脱離させることにより特性の改善が可能であることを示した。この結果は、GaInNAsデバイスの高品質化に向けた重要な知見といえる。
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