| 研究課題/領域番号 |
16K21072
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
無機材料・物性
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| 研究機関 | 岐阜大学 |
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研究代表者 |
大橋 史隆 岐阜大学, 工学部, 助教 (20613087)
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| 研究協力者 |
久米 徹二
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2018年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2017年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | クラスレート / 膜状合成 / シリコン / ゲルマニウム / 光透過スペクトル / 合成 / 薄膜 / 光透過測定 / Hall効果測定 / IV族 / 合成技術 / 結晶成長 |
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| 研究成果の概要 |
II型IV族クラスレートは、金属原子を内包可能なIV族原子のかご状構造を持ち、新規IV族系半導体として期待できる。これまで困難であった薄膜化を目指し、前駆体膜の合成に必要な、Na蒸気とIV族基板の反応過程の制御および、前駆体からクラスレート膜作製時の熱処理条件を変更し、合成膜の結晶構造の制御を試みた。また、それらの膜の詳細な物性評価に必要な技術として、透明基板であるサファイア基板上への合成も試みた。得られた膜をもとに光学的および電気的物性評価を行い、半導体膜としての評価および応用の基礎的技術を確立した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
IV族系半導体は毒性が低く、とりわけSiは比較的安価であることから、親環境材料として知られている。その新たな結晶構造として、II型クラスレートがある。これまでのダイヤモンド構造とは異なり、直接遷移型であり、バンドギャップが大きくなることが知られていることから、その応用が期待できる。本研究ではこれまで困難であったII型クラスレートの膜状合成技術と、評価技術を確立したことから、新規半導体材料としての応用に対し、重要な知見が得られたと考えられる。
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