| 研究課題/領域番号 |
17064008
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
赤井 久純 大阪大学, 大学院・理学研究科, 教授 (70124873)
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| 研究分担者 |
小倉 昌子 大阪大学, 大学院・理学研究科, 助教 (30397640)
平井 國友 奈良県立医科大学, 医学部, 教授 (60156627)
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| 研究期間 (年度) |
2005 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
41,100千円 (直接経費: 41,100千円)
2008年度: 7,400千円 (直接経費: 7,400千円)
2007年度: 11,500千円 (直接経費: 11,500千円)
2006年度: 11,500千円 (直接経費: 11,500千円)
2005年度: 10,700千円 (直接経費: 10,700千円)
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| キーワード | 計算機マテリアルデザイン / 第一原理電子状態計算 / オーダーN法 / フルポテンシャルKKR法 / 量子シミュレーション / 量子デザイン / 反強磁性ハーフメタル / ショットキー障壁 / 輪送現象 / 計算物理 / フルポテンシャル KKR 法 / 希薄反強磁性半導体 / 輸送現象 / 希薄反磁性半導体 / フルポテンシャルKKR / 遮蔽KKR法 |
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| 研究概要 |
KKRグリーン関数法にもとづくフルポテンシャル・オーダーN法とその計算機コードを開発し、これまで取り扱いが困難であった大規模系の高精度なフルポテンシャル計算および大規模不規則系に対するコヒーレントポテンシャル近似の適用を可能にした。この研究によって100層程度の厚さを持つ薄膜の第一原理フルポテンシャル計算や10000層程度までのマフィンティンポテンシャル模型に対する計算を実施し、大規模系に対する新しい知見を得るとともに、新材料、新デバイスのデザインを行なった。
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