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超高速全光スイッチの低エネルギー動作化と全光信号処理デバイスへの展開

研究課題

研究課題/領域番号 17068013
研究種目

特定領域研究

配分区分補助金
審査区分 理工系
研究機関独立行政法人産業技術総合研究所

研究代表者

石川 浩  独立行政法人産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 研究センター長 (50392585)

研究分担者 物集 照夫  産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 主任研究員 (20399497)
永瀬 成範 (永瀬 正範)  産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 研究員 (80399500)
河島 整  産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 主任研究員 (90356840)
杉本 喜正  産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 招聘研究員 (60415784)
池田 直樹  産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 特別研究員 (10415771)
秋本 良一  産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 主任研究員 (30356349)
牛頭 信一郎  産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 特別研究員 (90392729)
挾間 壽文 (挟間 寿文)  産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 副センター長 (90357765)
鍬塚 治彦  産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 研究チーム長 (40417150)
秋田 一路  産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 特別研究員 (50470050)
GUAN Lim Cheng  産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 特別研究員 (10470048)
小笠原 剛  産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 特別研究員 (00392598)
研究期間 (年度) 2005 – 2008
研究課題ステータス 完了 (2008年度)
配分額 *注記
65,500千円 (直接経費: 65,500千円)
2008年度: 13,100千円 (直接経費: 13,100千円)
2007年度: 16,400千円 (直接経費: 16,400千円)
2006年度: 19,600千円 (直接経費: 19,600千円)
2005年度: 16,400千円 (直接経費: 16,400千円)
キーワード量子井戸 / サブバンド間遷移 / 全光位相変調効果 / MBE / 超高速ゲートスイッチ / 超薄膜結合量子井戸 / 歪補償量子井戸構造 / バンドオフセット / 有効質量 / 周期構造 / ピコ秒 / 超高速光信号処理 / 超高速全光スイッチ / フォトリフレクタンス / 屈折率 / サブバンド間遷移スイッチ / InGaAs / AlAs / AlAsSb / 光閉じ込め / 歪補償 / 位相緩和時間 / 均一広がり / 不均一広がり / ドーピング濃度
研究概要

InGaAs/AlAsSb 系の超薄膜量子井戸のサブバンド間遷移を用いた超高速光ゲートスイッチの低エネルギー動作化を目指して、デバイス設計に必要な基礎物性パラメータの評価、高品質結晶の作成技術の研究開発を行い、160Gb/s領域で、2pJの低エネルギーで動作する全光変調位相変調効果を用いたサブバンド間遷移素子の基盤技術を確立した。また、周期構造を集積化することで位相変調効率を上げる構造を提案設計して、その製作技術を確立した。

報告書

(5件)
  • 2008 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2007 実績報告書
  • 2006 実績報告書
  • 2005 実績報告書
  • 研究成果

    (72件)

すべて 2009 2008 2007 2006 その他

すべて 雑誌論文 (23件) (うち査読あり 19件) 学会発表 (45件) 図書 (1件) 産業財産権 (3件) (うち外国 1件)

  • [雑誌論文] Cross Phase modulation efficiency enhancement in In_<0.8>Ga_<0.2>As/Al_<0.5>Ga_<0.5>As/AlAs_<0.56>Sb_<0.44> coupled double quantum wells by tailoring interband transition wavelength2009

    • 著者名/発表者名
      S. Gozu, T. Mozume, R. Akimoto, K. Akita, G. Cong, and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Express vol.2

    • NAID

      10025085733

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxy of AlAsSb/AlAs/InGaAs coupled double quantum wells with extremely thin AlAs-center-barrier2009

    • 著者名/発表者名
      S. Gozu, T. Mozume, and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth vol.311

      ページ: 1700-1702

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Enhancement of all-optical cross phase modulation in InAlAs/AlAsSb coupled quantum ells using InAlAs coupling barrier2009

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, R. Akimoto, T. Simoyama, C. Guangwei, T. Mozume, T. Hasama, and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      IEEE J. Photonics Technol. Lett. vol.20, no.24

      ページ: 2183-2185

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxy of AlAsSb/AlAs/InGaAs coupled double quantum wells with extremely thin AlAs-center-barrier2009

    • 著者名/発表者名
      S. Gozu et al.
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 311

      ページ: 1700-1702

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Cross phase modulation efficiency enhancement in In_<0.8>Ga_<0.2>As/Al_<0.5>Ga_<0.5>As/AlAs_<0.56>Sb_<0.44> coupled double quantum wells by tailoring interband transition wavelength2009

    • 著者名/発表者名
      S. Gozu, et al.
    • 雑誌名

      Appl. Physics Express 2

      ページ: 42201-3

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Indicies of refraction of InGAAs/AlAs/AlAsSb multiple-quantum wells measured by an optical waveguide technique2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume
    • 雑誌名

      Physica E vol.40, no.6

      ページ: 2031-2033

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Optical functions of AlAsSb characterized by spectroscopic ellipsometry2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume, M. Tanaka, A. Yoshimi, and W. Susaki
    • 雑誌名

      Phys. Status. Solidi (a) vol.205, no.4

      ページ: 72-875

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Mechanism of ultrafast modulation of refractive index in photoexcited In_xGa_<1-x>/AlAs_ySb_<1-y> quantum well waveguides2008

    • 著者名/発表者名
      G. W. Cong, R. Akimoto, M. Nagase, T. Mozume, T. Hasama, and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      Physical Rev. B vol.78, no.7

      ページ: 75308-75308

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Optical functions of AlAsSb characterized by spectroscopic ellipsometry2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume, et al.
    • 雑誌名

      Phys. Status. Solidi 205

      ページ: 872-875

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Indices of refraction of InGaAs/AlAs/AlAsSb multiple-quantum wells measured by an optical waveguide technique2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume, et al.
    • 雑誌名

      Physica E 40

      ページ: 2031-2033

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Enhancement of all-optical cross phase modulation in InAlAs/AlAsSb coupled quantum wells using InAlAs coupling barrier2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, et al.
    • 雑誌名

      IEEE J. Photonics Technol. Lett. 20

      ページ: 2183-2185

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Optical functions of AIAsSb characterized by spectroscopic ellipsometry2008

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol 205

      ページ: 872-875

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ultrafast all-optical refractive index modulation in intersubband transition switch using InGaAs/AlAs/AlAsSb quantum well2007

    • 著者名/発表者名
      H. Ishikawa, H. Tsuchida, K. S. Abedin, T. Simoyama, T. Mozume, M. Nagase, R. Akimoto and T. Hasama
    • 雑誌名

      Japan J. Appl. Phys. vol.46

    • NAID

      10018902902

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Indices of refraction of AlGaAsSb by an optical waveguide technique2007

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume, T. Simoyama, and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. vol.102, no.11

      ページ: 113111-113111

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Absorption dynamics in all-optical switch based on intersubband transition in InGaAs-AlAs-AlAsSb coupled quantum wells2007

    • 著者名/発表者名
      T. Simoyama, S. Sekiguchi, H. Yoshida, J. Kasai, T. Mozume, and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      IEEE Photonics Technol. Lett. vol.9, no.8

      ページ: 604-606

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Strain compensation for InGaAs-AlAs-AlAsSb coupled double quantum wells by controlling the barrier-layer composition2007

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, T. Mozume, T. Simoyama, T. Hasama, and H. Ishikawa
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth vol.301-302

      ページ: 240-243

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Photoreflectance study of InGaAs/AlAsSb quantum wells grown by molecular beam epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume, , J. Kasai, M. Nagase, T, Simoyama, T. Hasama, H. Ishikawa
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth vol.301-302

      ページ: 177-180

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Indices of refraction of AIGaAsSb by an optical waveguide technique2007

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 102

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Indices of refraction of InGaAs/AIAG/AIAsdSb multiple-quantum-wellsmeasured by an optical waveguide technique2007

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 雑誌名

      Physica E 40

      ページ: 2031-2033

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ultrafast all-optical refractive index modulation in intersubband transition switch using InGaAs/AlAs/AlAsSb quantum well2007

    • 著者名/発表者名
      H.Ishikawa et al.
    • 雑誌名

      Japanease Journal of Applied Physics vol.46, no. 7

    • NAID

      10018902902

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Absorption dynamics in all-optical switch based on intersubband trnsition in InGaAs-AlAs-AlAsSb coupled quantum wells2007

    • 著者名/発表者名
      T.Simoyama et al.
    • 雑誌名

      IEEE Photonics Technology Letters vol. 19 no. 8

      ページ: 604-606

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Strain compensation for InGaAs-AlAs-AlAsSb coupled double quantum wells by controlling the barrier-layer composition2007

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase et al.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol. 301-302

      ページ: 240-243

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Photoreflectance study of InGaAs/AlAsSb quantum wells grown by molecular beam epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume et al.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol. 301-302

      ページ: 177-180

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [学会発表] サブバンド・バンド間遷移波長を制御したIn_<0.8>Ga_<0.2>As/AlGaAs/AlAs_<0.56>Sb_<0.44>結合量子井戸 (査読なし)2009

    • 著者名/発表者名
      牛頭信一郎, 他
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演
    • 年月日
      2009-03-30
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] サブバンド・バンド間遷移波長を制御したIn0.8Ga0.2As/AlGaAs/Al0.56Sb0.44結合量子井戸2009

    • 著者名/発表者名
      牛頭信一郎, 他
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学、つくば市
    • 年月日
      2009-03-30
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] 薄いAlAs 層を有するIn0.8Ga0.2As/AlAs/AlAs0.56Sb0.44結合量子井戸のMBE成長 (査読無し)2009

    • 著者名/発表者名
      牛頭信一郎, 他
    • 学会等名
      第69回応用物理学会秋季学術講講演会
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Ultrafast all-optical switching using interband transitions in InGaAs/AlAs/AlAsSb quantum wells2008

    • 著者名/発表者名
      H. Ishikawa
    • 学会等名
      Asia-Pacific Optical Communications 2008
    • 発表場所
      Hangzhou, China
    • 年月日
      2008-10-28
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] 薄いAlAs層を有するIn0.8Ga0.2As/AlAs/AlAs0.56Sb0.44結合量子井戸のMBE成長2008

    • 著者名/発表者名
      牛頭信一郎, 他
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学 愛知県
    • 年月日
      2008-09-03
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Plasma reflection from highly Si-doped InGaAs/AlAsSb quantum wells2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume
    • 学会等名
      International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • 年月日
      2008-08-07
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Molecular beam epitaxy of AlAsSb/AlAs/InGaAs coupled quantum wells with extremely thin AlAs-center-barrier2008

    • 著者名/発表者名
      S. Gozu
    • 学会等名
      International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • 年月日
      2008-08-05
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Plasma reflection from highly Si-doped InGaAs/AlAsSb quantum wells2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume
    • 学会等名
      International Conference on Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Rio de Janeiro, Brasil
    • 年月日
      2008-07-31
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] InGaAs/InAlAs/AlAsSb結合量子井戸サブバンド間遷移を用いた超高速前光型スイッチの開発2008

    • 著者名/発表者名
      永瀬成範, 他
    • 学会等名
      レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      機械振興
    • 年月日
      2008-06-27
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Room temperature photoreflectance study of InGaAs/AlAsSb quantum wells2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume
    • 学会等名
      International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Versailles, France
    • 年月日
      2008-05-28
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Refractive index study of n-type InGaAs grown on InP substrates2008

    • 著者名/発表者名
      S. Gozu, et al.
    • 学会等名
      International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Versailles, France
    • 年月日
      2008-05-28
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication of all-optical switch based on intersubband transition in InGaAs/AlAsSb quantum wells with DFB structure2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, et al.
    • 学会等名
      International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Versailles, France
    • 年月日
      2008-05-28
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] InAlAs結合障壁を用いたInGaAs/AlAsSb結合量子井戸におけるXPM効率改善2008

    • 著者名/発表者名
      永瀬 成範
    • 学会等名
      第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      千葉
    • 年月日
      2008-03-30
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] n型キャリア密度依存InGaAs屈折率変化の解析2008

    • 著者名/発表者名
      牛頭 信一郎
    • 学会等名
      第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2008-03-29
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Ultrafast all-optical switching using intersubband transitions in InGaAs/AlAs/AlAsSb quantum wells (査読無し)2008

    • 著者名/発表者名
      H. Ishikawa
    • 学会等名
      Asia-Pacific Optical Communications
    • 発表場所
      Hangzhou, China. (invited)
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Plasma reflection from highly Si-doped InGaAs/AlAsSb quantum wells (査読あり)2008

    • 著者名/発表者名
      S. Gozu, T. Mozume, and H. Ishikawa
    • 学会等名
      The Int. Conf. on the Physics of Semiconductors 29
    • 発表場所
      Rio de Janeiro
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Interband transitions in strained InGaAs/AlAsSb multiple-quantum-well structures (査読あり3)2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume and S. Gozu
    • 学会等名
      International Conference on Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Rio de Janeiro, Brazil
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Molecular beam epitaxy of AlAsSb/AlAs/InGaAs coupled quantum wells with extremely thin AlAs-center-barrier (査読あり)2008

    • 著者名/発表者名
      S. Gozu et al.
    • 学会等名
      Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] InGaAs/AlAs/AlAsSb 結合量子井戸サブバンド間遷移を用いた超高速全光スイッチの開発 (査読なし)2008

    • 著者名/発表者名
      永瀬成範, 他
    • 学会等名
      レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Fabrication of all-optical switch based on intersubband transition in InGaAs/AlAsSb quantum wells with DFB structure (査読あり)2008

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, R. Akimoto, K. Akita, H. Kawashima, T. Mozume, T. Hasama, and H. Ishikawa
    • 学会等名
      Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Versailles France
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Room temperature photoreflectance study of InGaAs/AlAsSb quantum wells (査読あり)2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume and S. Gozu
    • 学会等名
      International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Versailles France
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Refractive index study of n-type InGaAs grown on InP substrate (査読あり)2008

    • 著者名/発表者名
      S. Gozu T. Mozume and H. Ishikawa
    • 学会等名
      International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Versailles France
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] n 型キャリヤ密度依存InGaAs 屈折率変化の解析 (査読なし)2008

    • 著者名/発表者名
      牛頭信一郎, 他
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] InAlAs 結合障壁を用いたInGaAs/AlAsSb結合量子井戸におけるXPM効率改善 (査読なし)2008

    • 著者名/発表者名
      永瀬成範, 他
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Characteristics of the ultrafast phase modulation in InGaAs/AlAsSb CDQW ISBT switch (査読なし)2007

    • 著者名/発表者名
      Lim Chen Guan, 他
    • 学会等名
      第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 年月日
      2007-09-08
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] AlA_sSbおよびAlGaAsSbの屈折率評価2007

    • 著者名/発表者名
      物集 照夫
    • 学会等名
      第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2007-09-08
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] InGaAs屈折率のn型キャリア濃度依存性2007

    • 著者名/発表者名
      牛頭 信一郎
    • 学会等名
      InGaAs屈折率のn型キャリア濃度依存性
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2007-09-08
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] DFB構造を有するlnGaAs/AIAsSb量子井戸サブバンド問遷移スイッチの作製2007

    • 著者名/発表者名
      永瀬 成範, 他
    • 学会等名
      第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2007-09-04
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Characteristics of the ultrafast phase-modulation in InGaAs/AIAsSbCDQWISBT switch2007

    • 著者名/発表者名
      Chen Guan Lim, et. al.
    • 学会等名
      第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2007-09-04
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Ultrafast all optical switches using intersubband transitions in quantum well(Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H.Ishikawa
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Ultrafast Photonic Technologies
    • 発表場所
      Cambridge,USA
    • 年月日
      2007-08-21
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Indices of refraction of InGaAs/AIAc/AIAsSb multiple-quantum-wellsmeasured by an optical waveguide technique 13th Internationa lConferenceon Modulated Semiconductor Structures2007

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 学会等名
      13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      Genova,Italy
    • 年月日
      2007-07-17
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] InGaAs/AlAs/AlAsSb intersubband transition all-optical switches for ultrafast all-optical signal processing(Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H.Ishikawa
    • 学会等名
      OECC/IOOC2007
    • 発表場所
      Yokohama,Japan
    • 年月日
      2007-07-07
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Optical functions of AIAsSb characterized by spectroscopic ellipsometry2007

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 学会等名
      4th International Conference on Spectroscopi c Ellipsometry
    • 発表場所
      Stoekholxn,Sweden
    • 年月日
      2007-06-14
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Intersubband transitions in InGaAs/AIAsSb coupled double quantum wells with InAIAs counling barriers2007

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase, et. al.
    • 学会等名
      Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Matsue,Japan
    • 年月日
      2007-05-17
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Improvement of XPM efficiency in InGaAs/AIAsSb coupling barrier for intersubband transition optical switrh2007

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase, et. al.
    • 学会等名
      Conf.on Optical Fiber Communications
    • 発表場所
      San Diego,USA
    • 年月日
      2007-02-28
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] DFB構造を有するInGaAs/AlAsSb量子井戸サブバンド間遷移スイッチの製作 (査読なし)2007

    • 著者名/発表者名
      永瀬成範, 他
    • 学会等名
      第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] InGaAs屈折率のn型キャリヤ濃度依存性 (査読なし)2007

    • 著者名/発表者名
      牛頭信一郎, 他
    • 学会等名
      第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Improvement of XPM efficiency in InGaAs/AlAsSb coupling barrier for intersubband transition optical switch (査読あり)2007

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, et al.
    • 学会等名
      Conf. on Optical Communications
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Ultrafast all optical switches using intersubband transitions in quantum well (査読なし)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Ishikawa
    • 学会等名
      3rd Int. Symposium on Ultrafast Photonic Technologies
    • 発表場所
      Cambridge USA
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Indices of refraction of InGaAs/AlAs/AlAsSb multiple-quantum-wells measured by an optical waveguide technique (査読あり)2007

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume
    • 学会等名
      13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      PM10, Genova Italy
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] InGaAs/AlAs/AlAsSb intersubband transition all-optical switches for ultrafast all-optical signal processing (査読なし)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Ishikawa
    • 学会等名
      OECC/IOOC2007
    • 発表場所
      Yokohama, Japan (Invited)
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Optical functions of AlAsSb characterized by spectroscopic ellipsometry (査読あり)2007

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume, M. Tanaka, A. Yoshimi, and W. Susaki
    • 学会等名
      4th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry, Stockholm
    • 発表場所
      Sweden
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Intersubband transitions in novel strained coupled quantum wells based on In_<0.53>Ga_<0.47>As grown by molecular beam epitaxy (査読あり)2006

    • 著者名/発表者名
      M. Nagase, T. Mozume, T. Simoyama, T. Hasama, and H. Ishikawa
    • 学会等名
      International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Princeton, NJ, USA
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Ultrafast all-optical switches using intersubband transition in quantum wells (査読なし)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Ishikawa, T. Simoyama, M. Nagase, R. Akimoto, B. Li, K. Akita, and T. Hasama
    • 学会等名
      International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Princeton, NJ, USA (invited)
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] InGaAs-based quantum wells for ultrafast all-optical switches using intersubband transitions (査読なし)2006

    • 著者名/発表者名
      T. Mozume, M. Nagase, T. Simoyama, and H. Ishikawa
    • 学会等名
      JSPS-UNT Joint Symposium on Nanoscale Materials for Optoelectronics and Biotechnology
    • 発表場所
      Denton, Texas (invited)
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [図書] Ultrafast All-optical Signal Processing Devices, Edited by H. Ishikawa, John Wiley and Sons, (Chapter 5に関連記述)2008

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [産業財産権] 結合量子井戸構造2007

    • 発明者名
      永瀬 成範、 秋本 良一、 石川 浩
    • 権利者名
      産業技術総合研究所
    • 出願年月日
      2007-08-17
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 外国
  • [産業財産権] 結合量子井戸構造2006

    • 発明者名
      永瀬成範
    • 権利者名
      産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2006-222736
    • 出願年月日
      2006-08-07
    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [産業財産権] 永瀬成範, 他

    • 発明者名
      結合量子井戸構造
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書

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公開日: 2005-04-01   更新日: 2021-04-07  

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