| 研究課題/領域番号 |
17069009
|
|---|
| 研究種目 |
特定領域研究
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 審査区分 |
理工系
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
吉信 淳 東京大学, 物性研究所, 教授 (50202403)
|
|---|
| 研究分担者 |
山下 良之 東京大学, 物性研究所, 助手 (00302638)
吉本 真也 東京大学, 物性研究所, 助教 (90507831)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2005 – 2009
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
|
| 配分額 *注記 |
109,400千円 (直接経費: 109,400千円)
2009年度: 10,200千円 (直接経費: 10,200千円)
2008年度: 11,200千円 (直接経費: 11,200千円)
2007年度: 23,300千円 (直接経費: 23,300千円)
2006年度: 38,700千円 (直接経費: 38,700千円)
2005年度: 26,000千円 (直接経費: 26,000千円)
|
|---|
| キーワード | 表面 / 分子 / 走査トンネル顕微鏡 / 電気伝導 / 吸着 / 光電子分光 / 赤外吸収分光 / シリコン / アルキル基 / 単層膜 / STS / トンネル物性 / STM / 電子エネルギー損失分光 / 走査型トンネル顕微鏡 / X線吸収分光 / X線発光分光 |
|---|
| 研究概要 |
ナノスケールで制御された分子-基板接合系の構築と電子物性の研究を行った.Si基板におけるナノリンク分子系では,Si(100)表面における非対称アルケン分子の環化付加反応を研究し,カルボカチオン的中間体を介した反応機構を提案・実証した.Si(111)-Hとアルケンとの熱ラジカル反応でアルキル基-Si基板接合系を構築した.赤外吸収分光で構造を評価し,水銀電極を用いてアルキル単一層の電気伝導を研究した.さらに,化学修飾したSi表面の吸着による表面ドーピングの研究も行った.金属表面では,電極反応モデル系として重要な水分子の吸着と成長を研究した.また,Cu(100)におけるDBP-S分子,F4-TCNQ分子の吸着状態と電子状態を詳細に研究した.また,Rh(111)とシクロヘキサンの相互作用を赤外吸収分光により研究し,ソフト化したCH伸縮振動の原因を解明した.
|
