| 研究課題/領域番号 |
17206036
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
三村 秀典 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (90144055)
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| 研究分担者 |
根尾 陽一郎 静岡大学, 電子工学研究所, 助教 (50312674)
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| 研究期間 (年度) |
2005 – 2007
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| 研究課題ステータス |
完了 (2007年度)
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| 配分額 *注記 |
47,710千円 (直接経費: 36,700千円、間接経費: 11,010千円)
2007年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円)
2006年度: 13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円)
2005年度: 24,570千円 (直接経費: 18,900千円、間接経費: 5,670千円)
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| キーワード | 電界放出微小電子源 / スミスパーセル光 / 自由電子レーザ / GaAs / 光カソード / 回折格子 / パルス電子ビーム / 電界放射微小電子源 / テラヘルツ / 電子ビーム / 回析格子 / Si |
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| 研究概要 |
・ シリコン電界放出微小電子源を製作し、微小電子源からの直流状の電子ビームをアルミレプリカ回折格子上を通過させ、スミスパーセル放射光を観測した。ビーム量は200nA、加速電圧は25kVから30kV、回折格子のピッチは416nmである。観測したスミスパーセル光は、350nm付近の紫外領域で4次光、400nm付近で3次光、600nm付近で2次光、1300nm付近で1次光である。観測されたスミスパーセル光の波長は、スミスパーセル光の理論計算と良く一致した。
・ 高周波パルス電子ビーム発生用GaAsエミッタを開発するため、ウェットエッチングを用いたGaAsエミッタ製作技術の確立を行った。GaAs表面に(NH_4)_2S_x溶液表面処理を行うことにより、表面酸化物の除去、平坦性の改善、大気中での自然酸化膜の形成を遅らせることができ、エミッションの立ち上がり電圧を低下させる等、放出電流特性の改善を行えることを確認した。
・ スミスパーセル放射光を高輝度化し、自由電子レーザを実現するためには、高周波パルス電子ビームを作る必要がある。高周波パルス電子ビームの発生にはパルス光により光カソードを励起するのが最も容易である。そこで、励起高周波パルス電子ビーム発生用GaAs光カソードを開発するため、GaAs表面にCsと酸素を交互に加えるYo-Yo法で負の親和力を形成する技術の確立を行った。その結果、GaAs表面を負の親和力にすることに成功し、He-Neレーザ(波長632.8nm)、強度0.1mWの励起でマイクロアンペアの放出電流(量子効率約2%)を得ることに成功した。
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