| 研究課題/領域番号 |
17310070
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
天明 二郎 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (90334961)
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| 研究分担者 |
田中 昭 静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (50022265)
青木 徹 静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (10283350)
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| 研究期間 (年度) |
2005 – 2007
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| 研究課題ステータス |
完了 (2007年度)
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| 配分額 *注記 |
15,330千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 630千円)
2007年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2006年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
2005年度: 10,500千円 (直接経費: 10,500千円)
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| キーワード | 酸化亜鉛 / 光デバイス / 有機金属気相堆積法 / 量子効果 / ラジカル / 酸化亜鉛半導体薄膜 / 酸化物半導体 / 発効デバイス / 自己組織化ナノ構造 / 発光デバイス |
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| 研究概要 |
酸化物半導体ZnO系材料はバンドギャップエネルギーが3.28eV、励起子結合エネルギーが60meVと極めて大きい特長があり、新しい光デバイス材料として高いポテンシャルを有している。さらに、光学品質の良いナノ構造を導入できれば、励起子結合エネルギーを増大させることが出来、原理的には量子効果により非常に高効率な発光が期待できる。しかし、デバイスクオリティの薄膜構造、均一な混晶膜、p型伝導性制御等の実現が困難の課題があった。これらの問題に対し、非平衡度の大きいラジカルを用いる有機金属気相堆積法(RPE-MOCVD)を研究開発し、上記課題に取り組んできた。これまでに、内外で初めて、可視から紫外域までの混晶組成を実現し、p型制御についてもNラジカルを用いて低キャリア濃度ではあるが実現できた。それらをまとめて、ZnO系ダブルヘテロ接合を実現し、電流注入によりRGBのエレクトロルミネッセンス発光を得、ZnO系発光デバイスのフィージビリティを示せた、量子構造に関しても、ZnO系ナノドットについて新しく導入できたRPE-MOCVD装置でファインな成長制御が可能になり量子効果によるブルーシフトを観測でき、要素技術の基礎を固めることができた。
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