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実時間2波長励起フォトルミネッセンス法による非発光再結合準位の動的挙動計測

研究課題

研究課題/領域番号 17360006
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関埼玉大学

研究代表者

鎌田 憲彦  埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (50211173)

研究分担者 本多 善太郎  埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (30332563)
荒川 泰彦  東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (30134638)
研究期間 (年度) 2005 – 2007
研究課題ステータス 完了 (2007年度)
配分額 *注記
14,050千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 1,050千円)
2007年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2006年度: 3,900千円 (直接経費: 3,900千円)
2005年度: 5,600千円 (直接経費: 5,600千円)
キーワード非発光再結合準位 / 結晶評価 / フォトルミネッセンス / 光物性 / 量子井戸 / 量子閉じ込め
研究概要

1.2波長励起PL測定系の構築
ヘッドオン型XeClエキシマーランプ(222nm)および自作の反射型自然放出光除去光学系、高感度・高S/N比で微弱光の実時間計測が可能なElectron Multipher(EM)-CCDカメラ、4K付近まで測定可能なクライオスタットを新たに導入し、また面内分布測定用の視野絞りを有する顕微光学系2波長励起PL測定装置を構築した。
2.半導体量子井戸試料の結晶成長と2波長PL測定
短波長発光材料として開発が望まれているGaN系組成で量子井戸構造を設計し、MOCVD成長を継続した。InGaN、GaN/AlGaN量子井戸構造、InAs/GaAs量子ドット構造等で禁制帯内の非発光再結合準位を検出し、BGE強度増加に伴うPL強度変化の飽和傾向(トラップフィリング効果)を確認した。深紫外域用AINバッファー層の高品質化を通して、室温CW動作で1桁以上の発光効率改善を達成した。
3.面内分布と動的挙動計測
測定中不可逆的変化を示した試料の検討を進め、励起Nd:YAGレーザー光による表面欠陥準位の生成によることを示した。EM-CCDカメラを用いた面内発光強度分布測定を進め、バンド端PL強度分布が非発光再結合準位の面内不均一性に依存することを実証した。これらの成果は非発光再結合準位の面内分布やその形成状況を把握する上で重要であり、非接触、電極不要という本手法の有効性をさらに活用した技術基盤が得られた。

報告書

(4件)
  • 2007 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2006 実績報告書
  • 2005 実績報告書
  • 研究成果

    (89件)

すべて 2008 2007 2006 2005 その他

すべて 雑誌論文 (30件) (うち査読あり 5件) 学会発表 (45件) 図書 (6件) 備考 (4件) 産業財産権 (4件)

  • [雑誌論文] Laser-Induced Formation of Nonradiative Centers Observed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence2008

    • 著者名/発表者名
      H. Ogawa, N. Uchiyama, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 雑誌名

      Special Issue in Physica Status Solidi (Accepted for publication)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 顕微光学系によるLED用結晶の2波長励起フォトルミネッセンス評価2008

    • 著者名/発表者名
      内山直威、山口朋彦、小川博久、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会電子ディスプレイ研究会 EID2007-70

      ページ: 41-44

    • NAID

      10025648416

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] 深紫外域組成InAlGaNの結晶成長とLEDの作製2008

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦
    • 雑誌名

      第2回フロンティアフォトニクスフォーラム No.10

      ページ: 33-35

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Growth of InAlGaN Crystals and Fabrication of Deep-UV LEDs2008

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata
    • 雑誌名

      Proc. 2nd Frontier Photonics Forum

      ページ: 33-35

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Characterization of Crystals for LEDs by Two-Wavelength excited Photoluminescence with Microscopic Optics2008

    • 著者名/発表者名
      N. Uchiyama, T. Yamaguchi, H. Ogawa and N. Kamata
    • 雑誌名

      Electronic Display Conf. of IEICE, Jpn. E1D2007-70

      ページ: 41-44

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] 顕微光学系によるLED用結晶の2波長励起フォトルミネッセンス評価2008

    • 著者名/発表者名
      内山 直威, 山口 朋彦, 小州 博久, 鎌田 憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会電子ディスプレイ研究会 EID2007-70

      ページ: 41-44

    • NAID

      10025648416

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [雑誌論文] 深紫外域組成lnAIGaNの結晶成長とLEDの作製2008

    • 著者名/発表者名
      鎌田 憲彦
    • 雑誌名

      第2回フロンティアフォトニクスフォーラム 10

      ページ: 33-35

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [雑誌論文] 231-261nm AlGaN Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Multilayer Buffers Grown by Ammonia Pulse-Flow Method on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi, T. Ohashi, and N. Kamata
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 91

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] TMAIのパルス状供給による極性制御及びAIN/AIGaNテンプレートの高品質化2007

    • 著者名/発表者名
      野口憲路, 大橋智昭, 平山秀樹, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊 27a-ZM-2

      ページ: 371-371

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] AINバッファー高品質化によるAlGaN量子井戸深紫外発光の飛躍的高効率化2007

    • 著者名/発表者名
      谷田部透, 大橋智昭, 平山秀樹, 野口憲路, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊 27a-ZM-3

      ページ: 372-372

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] NH_3交互供給法による紫外LED用高品質AINバッファー層の実現2007

    • 著者名/発表者名
      大橋智昭, 平山秀樹, 谷田部透, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊 27a-ZM-4

      ページ: 372-372

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] 高品質AINバッファー層を用いた深紫外250nmシングルピーク発光LED2007

    • 著者名/発表者名
      大橋智昭, 平山秀樹, 谷田部透, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊 30p-ZM-8

      ページ: 419-419

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] 250-280nm深紫外LEDに向けた高内部量子効率AlGaN量子井戸の実現2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 大橋智昭, 谷田部透, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊 30p-ZM-9

      ページ: 419-419

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2006

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, S. Saravanan, J. M. Zanardi Ocampo, P. O. Vaccaro, Y. Arakawa
    • 雑誌名

      Physica B. 376-377

      ページ: 849-852

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2006

    • 著者名/発表者名
      Kamata N., Saravanan S., Zanardi Ocampo J. M., Vaccaro P. 0., Arakawa Y.
    • 雑誌名

      Physica B 376-377

      ページ: 849-852

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Frontier Photonics by advanced Materials2006

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata
    • 雑誌名

      Project Res. Report of General Res. Institute vol. 4

      ページ: 39-42

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2006

    • 著者名/発表者名
      Kamata N., Saravanan S., Zanardi Ocampo J.M., Vaccaro P.O., Arakawa Y.
    • 雑誌名

      Physica B 376-377

      ページ: 849-852

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2006

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, S.Saravanan, J.M.Zanardi Ocampo, P.O.Vaccaro, Y.Arakawa
    • 雑誌名

      Physica B in Press

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2005

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, S. Saravanan, J. M. Zanardi Ocampo, P. O. Vaccaro, Y. Arakawa
    • 雑誌名

      Proc. 23rd Int. Conf. on Defects in semiconductors (ICDS-23), Awaji ThM2.3C

      ページ: 105-105

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Remarkable Increase of Deep UV Emission from Quaternary InAlGaN by Reducing Oxygen and Carbon Impurities2005

    • 著者名/発表者名
      T. Ohashi, H. Hirayama, K. Ishibashi and N. Kamata
    • 雑誌名

      Proc. Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston FF3.2

      ページ: 784-784

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討2005

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、大橋智昭、石橋幸治、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告「電子デバイス」ED2005-32、CPM2005-24、SDM2005-32 105

      ページ: 91-96

    • NAID

      10016151747

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測2005

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、高野隆義、大橋智昭、藤川紗千恵、鎌田憲彦、近藤行廣
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告「電子デバイス」 105

      ページ: 67-72

    • NAID

      110003500207

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Improved Efficiency of InAlGaN Quaternary UV-LEDs2005

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi, K. Ishibashi and N. Kamata
    • 雑誌名

      Electronic Device Conf. of IEICE, Jpn. Vol. 105, No. 89

      ページ: 91-96

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Observation of High Internal-Quantum-Efficiency from InAlGaN Quantum Wells Emitting 330nm Wavelength Light2005

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Takano, T. Ohashi, S. Fujikawa, N. Kamata, Y. Kondo,
    • 雑誌名

      Electronic Device Conf. of IEICE, Jpn. Vol. 105, No. 326

      ページ: 67-72

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2005

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, S.Saravanan, J.M.Zanardi Ocampo, P.O.Vaccaro, Y.Arakawa
    • 雑誌名

      Proc.23^<rd> Int.Conf.on Defects in semiconductors (ICDS-23), Awaji ThM2.3C

      ページ: 105-105

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Remarkable Increase of Deep UV Emission from Quaternary InAlGaN by Reducing Oxygen and Carbon Impurities2005

    • 著者名/発表者名
      T.Ohashi, H.Hirayama, K.Ishibashi, N.Kamata
    • 雑誌名

      Proc.Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討2005

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 大橋智昭, 石橋幸治, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告「電子デバイス」ED2005-32、CPM2005-24、SDM2005-32 105

      ページ: 91-96

    • NAID

      10016151747

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測2005

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 高野隆義, 大橋智昭, 藤川紗千恵, 鎌田憲彦, 近藤行廣
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告「電子デバイス」 105

      ページ: 67-72

    • NAID

      110003500207

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Laser-Induced Formation of Nonradiative Centers Observed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence

    • 著者名/発表者名
      H. Ogawa, N. Uchiyama, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (accepted for publication)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Laser-Induced Formation of Nonradiative Centers Observed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence

    • 著者名/発表者名
      H.Ogawa, N.Uchiyama, N.Kamata and Y.Arakawa
    • 雑誌名

      Special Issue in Physica Status Solidi (Accepted for publication )

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 248nm ALGaN深紫外LEDの室温CWミリワット出力動作鎌田憲彦、2008

    • 著者名/発表者名
      谷田部透、平山秀樹、野月憲路、乗松潤、鎌田憲彦て
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会 30a-B-10
    • 発表場所
      日大舟橋
    • 年月日
      2008-03-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 222nm AlGaN深紫外LKDのシングルピーク発光動作2008

    • 著者名/発表者名
      野口憲路、平山秀樹、谷田部透、鎌田憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会 30a-B-11
    • 発表場所
      日大舟橋
    • 年月日
      2008-03-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] アンモニアパルス供給多層成長法を用いた深紫外LED用AINバッファーの進展2008

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、谷田部透、野口憲路、乗松潤、鎌田憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会 29p-B-8
    • 発表場所
      日大舟橋
    • 年月日
      2008-03-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] K1, 222-273 nm AlGaN Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on High-Quality AlN Buffer on Sapphire2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi, N. Kamata
    • 学会等名
      International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED)
    • 発表場所
      Invited.
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 227-261 nm AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting-Diodes Fabricated on High-Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting(査読有)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Remarkable-Enhancement of 254-288 nm Deep UV Emission from AlGaN Quantum Wells by Using High-Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, N. Noguchi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting P29(査読有)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 227-261 nm AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting-Diodes Fabricated on High-Quality AlN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting, (Th-O-9)
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2007-11-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Remarkable-Enhancement of 254-288 nm Deep UV Emission from AlGaN Quantum Wells by Using High-Quality AlN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, N. Noguchi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting, (P29)
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2007-11-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 227-261 nm AIGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting-DiodesFabricated on High-Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, T. Ohashi and N. Kamat
    • 学会等名
      Proc.Int.Conf.on White LEDs and Solid State Lighting(査読有)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-29
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] High-Quality AIN Buffer Fabricated on Sapphire by NH3 Pulse-Flow Multi-Layer Growth Method for Application to Deep UV-LEDs2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Yatabe, T. Ohashi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting P28(査読有)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-28
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] High-Quality AlN Buffer Fabricated on Sapphire by NH3 Pulse-Flow Multi-Layer Growth Method for Application to Deep UV-LEDs2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Yatabe, T. Ohashi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting, (P28)
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2007-11-28
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] High-Quality AIN Buffer Fabrieated on Sapphire by NH3 Pulse-Flow Multi-Layer Growth Method for Apphication to Deep UV-LEDs,2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Yatabe, T, Ohashi N. Kamata and H.Hirayama
    • 学会等名
      Proc.Int.Conf.on White LEDs and Solid State Lighting, P28(査読有)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-28
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Remarkable-Enhancement of 254-288 nm Deo UV Emission from AlGaN Quantum Wells by Using High Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, N. Noguchi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      proc, Int, Conf, in White LEDs and Solid State Lighting, P29(査読有)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-28
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Laser-Induced Formation of Nonradiative Centers Observed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence, 2007.10.15(Kyoto2007

    • 著者名/発表者名
      H. Ogawa, N. Uchiyama, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 学会等名
      Proc. Int. Symp.on Compound Semicond., MoE P4(査読有)
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2007-10-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Laser-Induced Formation of Nonradiative Centers Observed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence2007

    • 著者名/発表者名
      H. Ogawa, N. Uchiyama, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 学会等名
      Proc. Int. Symp. on Compound semiconductors, (MoE P4)
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2007-10-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Laser-Induced Formation of Nonradiative Centers Observed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence,2007.10.15(Klyoto2007

    • 著者名/発表者名
      H. Ogawa, N. Uchiyama, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 学会等名
      proc.Int.Symp.on Compound Semicond., MoE P4(査読有)
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2007-10-15
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] 245-250 nm AIGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on High-Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi, T. Yatabe and N.Kamata
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., ThP29(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas (USA)
    • 年月日
      2007-09-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 245-250nm AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on High-Quality AlN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi, T. Yatabe and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., (ThP29)
    • 発表場所
      Las Vegas
    • 年月日
      2007-09-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 245-250 nm AIGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on High-Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi, T. Yatabe and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc.Int.Conf.on Nitride Semicond., ThP29(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas(USA)
    • 年月日
      2007-09-20
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Remarkable Enhancement of 254-280 nm Deep UV Emission from AlGaN Quantum Wells by Using High-Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., WP92(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas (USA)
    • 年月日
      2007-09-19
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Remarkable-Enhancement of 254-280 nm Deep UV Emission from AlGaN Quantum Wells by Using High-Quality AlN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, N. Noguchi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., (WP92)
    • 発表場所
      Las Vegas
    • 年月日
      2007-09-19
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Remarkable Enhancement of 254-280 nm Deep UV Emission from AIGa N Quantum Wbls by Using High-Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, H. HLirayama, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc.Int.Conf.on Nitride Semicond., WP92(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas(USA)
    • 年月日
      2007-09-19
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] High-Quality AIN Buffer Fabricated on Sapphire by NH3 Pulse Flow Multi-Layer Growth Method for Application to Deep UTV-LEDs2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., M2(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas (USA)
    • 年月日
      2007-09-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] High-Quality AlN Buffer Fabricated on Sapphire by NH3 Pulse Flow Multi-Layer Growth Method for Application to Deep UV-LEDs2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., (M2)
    • 発表場所
      Las Vegas
    • 年月日
      2007-09-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] High-Quality AIN Buffer Fabricated on Sapphire by NH3 Pulse Flow Multi-Layer Growth Method for Application to Deep UV-LEDs2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc.Int.Cokf.on Nitride Semicond., M2(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas(USA)
    • 年月日
      2007-09-18
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Control of Polarity and Reduction of Threading Dislocations density (TDD) of AlN/AlGaN Buffer on Sapphire by Using TMA1 Pulse Supply Method2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Ohashi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., MP75(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas (USA)
    • 年月日
      2007-09-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Control of Polarity and Reduction of Threading Dislocations density (TDD) of AlN/AlGaN Buffer on Sapphire by Using TMAl Pulse Supply Method2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Ohashi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., (MP75)
    • 発表場所
      Las Vegas
    • 年月日
      2007-09-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Control of Polarity and Reduction of Threading Disslocations density (TDD) of AIN/AIGaN Buffer on Sapphire by Using TMAI Pulse Supply Method2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Ohashi, N. Kamata and H.Hirayama
    • 学会等名
      Proc.Int.Conf.on Nitride Semicond., MP75(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas(USA)
    • 年月日
      2007-09-17
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] 261nm AlGaN量子井戸深紫外LEDのCWミリワット動作、2007

    • 著者名/発表者名
      谷田部透、野口憲路、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 学会等名
      応用物理学会学術講演会 8p-ZR-7
    • 発表場所
      北海道工大
    • 年月日
      2007-09-08
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 231nm AlGaN量子井戸深紫外LEDのシングルピーク発光動作、2007

    • 著者名/発表者名
      野口憲路、谷田部透、鎌田簿彦、平山秀樹
    • 学会等名
      応用物理学会学術講演会 8p-ZR-8
    • 発表場所
      北海道工大
    • 年月日
      2007-09-08
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 261nm AlGaN量子井戸深紫外LEDのCWミリワット動作、2007

    • 著者名/発表者名
      谷田 部透, 野口 憲路, 鎌田 憲彦, 平由 秀樹
    • 学会等名
      応用物理学会学術誰演会8p-ZR-7
    • 発表場所
      北海道工大
    • 年月日
      2007-09-08
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] 231nm AlGaN量子井戸深紫外LEDのシングルピーク発光動作、2007

    • 著者名/発表者名
      野口 憲路, 谷田 部透, 鎌田 憲彦, 平山 秀樹
    • 学会等名
      応用物理学会学術講演会8p-ZR-8
    • 発表場所
      北海道工大
    • 年月日
      2007-09-08
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] 230-350nm窒化物深紫外LEDの進展と今後の展望2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、谷田部透、野口憲路、藤川紗千恵、高野隆好、鎌田憲彦、近藤行廣
    • 学会等名
      応用物理学会学術講演会 「窒化物光半導体のフロンティア」シンポジウム(招待) 5p-ZR-8
    • 発表場所
      北海道工大
    • 年月日
      2007-09-05
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 230-350nm窒化物深紫外LEDの進展と今後の展望2007

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 谷田 部透, 野口 憲路, 藤州 紗千恵, 高野 隆好, 鎌田 憲彦, 近藤 行廣
    • 学会等名
      応用物理学会学術講演会「窒化物光半導体のフロンティア」シンポジウム(招待)5p-ZR-8
    • 発表場所
      北海道工大
    • 年月日
      2007-09-05
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] 高品質AlNバッファー層を用いた深紫外250nmシングルピーク発光LED2007

    • 著者名/発表者名
      大橋智昭、平山秀樹、谷田部透、鎌田憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原キャンパス)
    • 年月日
      2007-03-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 250-280nm深紫外LEDに向けた高内部量子効率AlGaN量子井戸の実現2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、大橋智昭、谷田部透、鎌田憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原キャンパス)
    • 年月日
      2007-03-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 248nm AlGaN深紫外LEDの室温CWミリワット出力動作鎌田憲彦、2007

    • 著者名/発表者名
      谷田 部透, 平山 秀樹, 野口 憲路, 乗松 澗, 鎌田 憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会30a-B-10
    • 発表場所
      日大舟橋
    • 年月日
      2007-03-30
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] 222nm AlGaN深紫外LEDのシングルピーク発光動作2007

    • 著者名/発表者名
      野口 憲路, 平由 秀樹, 谷田 部透, 鎌田 憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会30a-B-11
    • 発表場所
      日大舟橋
    • 年月日
      2007-03-30
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] アンモニアパルス供給多層成長法を用いた深紫外LED用ALNバッファーの進展2007

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 谷田 部透, 野口 憲路, 乗松 澗, 鎌田 憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会29p-B-8
    • 発表場所
      日大舟橋
    • 年月日
      2007-03-29
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] TMA1のパルス状供給による極性制御及びAlN/AlGaNテンプレートの高品質化2007

    • 著者名/発表者名
      野口憲路、大橋智昭、平山秀樹、鎌田憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原キャンパス)
    • 年月日
      2007-03-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] AlNバッファー高品質化によるAlGaN量子井戸深紫外発光の飛躍的高効率化2007

    • 著者名/発表者名
      谷田部透、大橋智昭、平山秀樹、野口憲路、鎌田憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原キャンパス)
    • 年月日
      2007-03-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] NH_3交互供給法による紫外LED用高品質AlNバッファー層の実現2007

    • 著者名/発表者名
      大橋智昭、平山秀樹、谷田部透、鎌田憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原キャンパス)
    • 年月日
      2007-03-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Development and Perspective of 230-350nm Nitride Deep-UV LEDs2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi, S. Fujikawa, T. Takano, N. Kamata and Y. Kondo
    • 学会等名
      Conf. of Jpn. Soc. Applied Physics, Symp. on "Frontier of Nitride Semiconductors" , (5p-ZR-8)
    • 発表場所
      Invited, in Japanese
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2005

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, S. Saravanan, J. M. Zanardi Ocampo, P. 0. Vaccaro, Y. Arakawa
    • 学会等名
      23rd Int. Conf. on Defects in Semiconductors (ICDS-23)
    • 発表場所
      Awaj ThM2. 3C
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Remarkable Increase of Deep UV Emission from Quaternary InAlGaN by Reducing Oxygen and Carbon Impurities2005

    • 著者名/発表者名
      T. Ohashi, H. Hirayama, K. Ishibashi and N. Kamata
    • 学会等名
      Materials Research Society (MRS) Fall Meeting 2005, (FF3. 2)
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [図書] 電気データブック(電子材料り稿:鎌田分担編集)2008

    • 著者名/発表者名
      電気学会編集委員会
    • 出版者
      朝倉書店(出版確定)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [図書] Photonics(鎌田分担訳)2008

    • 著者名/発表者名
      A. Yariv, P. Yeh(多田、神谷監訳)
    • 出版者
      丸善(改訳版刊行作業中)(出版確定)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [図書] 電気データブック2007

    • 著者名/発表者名
      電気学会編集委員会
    • 出版者
      朝倉書店(印刷中)
    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [図書] Photonics(鎌田分担訳)2007

    • 著者名/発表者名
      A.Yariv, P.Yeh, (多田, 神谷監訳)
    • 出版者
      丸善(改訳版刊行作業中)(印刷中)
    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [図書] 電子材料ハンドブック (木村忠正他編著)2006

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦(「半導体材料」主査)
    • 出版者
      朝倉書店
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [図書] 電子材料ハンドブック(木村忠正他編著)2006

    • 著者名/発表者名
      鎌田 憲彦(「半導体材料」主査)
    • 出版者
      朝倉書店(最終校正中)
    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [備考] 「研究成果報告書概要(和文)」より

    • URL

      http://www.saitama-u.ac.jp/iron/

    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [備考] 「研究成果報告書概要(和文)」より

    • URL

      http://www.fms.saitama-u.ac.jp/~kamata_l/index.html

    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [備考]

    • URL

      http://www.saitama-u.ac.jp/iron/

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.fms.saitama-u.ac.jp/lab/kamata_l/

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [産業財産権] 光半導体素子およびその製造方法2007

    • 発明者名
      平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
    • 権利者名
      理研、埼玉大学
    • 産業財産権番号
      2007-219890
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [産業財産権] 光半導体素子およびその製造方法2007

    • 発明者名
      平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
    • 権利者名
      理研、埼玉大学
    • 産業財産権番号
      2007-219910
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [産業財産権] 光半導体素子およびその製造方法2007

    • 発明者名
      平山 秀樹, 大橋 智昭, 鎌田 憲彦
    • 権利者名
      理研、埼玉大学
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [産業財産権] 光半導体素のおよびその製造方法2007

    • 発明者名
      平山 秀樹, 大橋 智昭, 鎌田 憲彦
    • 権利者名
      理研、埼玉大学
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書

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公開日: 2005-04-01   更新日: 2016-04-21  

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