| 研究課題/領域番号 |
17560015
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 名城大学 |
|---|
研究代表者 |
丸山 隆浩 名城大学, 理工学部, 准教授 (30282338)
|
|---|
| 研究分担者 |
成塚 重弥 名城大学, 理工学部, 教授 (80282680)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2005 – 2008
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,760千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 360千円)
2008年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2007年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2006年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
2005年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
|
|---|
| キーワード | カーボンナノチューブ / 低温成長 / 光励起 / ラマン分光 / ガスソース成長 / 紫外線 / ガスソース成長法 / 触媒化学気相成長法 / SiC / 走査トンネル顕微鏡 |
|---|
| 研究概要 |
単層カーボンナノチューブ(SWNT)の低温成長を目的とし、高真空アルコールガスソース成長装置を開発し、通常の化学気相成長(CVD)法よりもエタノール成長圧力を大幅に低減した成長条件でカーボンナノチューブ(CNT)成長を行なった。その結果、成長圧力10^<-4>Paにおいて400℃でのSWNTの成長を実現した。さらに、触媒担持材として酸化Alバッファ層を用いることで、一桁程度生成量を増加させた。また、CNT成長中に真空紫外線照射を行なったところ、直径1nm以上のSWNTの生成が抑制され、SWNTの平均直径が減少する様子がみられた。関連して、SiC表面分解法におけるCNT生成過程の観察を行い、本手法におけるCNT生成モデルを提案するとともに、カイラリティがzigzagタイプのみにそろうメカニズムに関して考察を行なった。
|
