| 研究課題/領域番号 |
17560025
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 愛知工業大学 |
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研究代表者 |
岩田 博之 愛知工業大学, 工学部・電気学科, 講師 (20261034)
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| 研究期間 (年度) |
2005 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,960千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 360千円)
2008年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2007年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2006年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
2005年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
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| キーワード | 水素イオン注入 / スマートカット / 透過型電子顕微鏡 / ブリスタリング / 結晶欠陥 / RBS / 格子欠陥 / ナノデバイス |
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| 研究概要 |
水素イオンが高濃度に注入された半導体シリコンに発生する結晶欠陥の性状を透過型電子顕微鏡観察から評価し、加熱による表面薄膜切り出し後の形状との関連性を詳細に調べた。少量の異種イオンの照射を併用し、現象の低温化を明らかにした.
加熱前後の試料内水素分布と欠陥分布の変化を検出した. 事前に試料表面に溝加工を施し、その後加熱処理を行うことにより, ナノオーダ精度で瞬時にナノ構造物を大量に作製する手法の取り掛かりとなる基礎的データを得た.
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