| 研究課題/領域番号 |
17560290
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
脇田 和樹 大阪府立大学, 工学研究科, 助教授 (80201151)
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| 研究分担者 |
芦田 淳 大阪府立大学, 工学研究科, 講師 (60231908)
沈 用球 大阪府立大学, 工学研究科, 助手 (20336803)
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| 研究期間 (年度) |
2005 – 2006
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| 研究課題ステータス |
完了 (2006年度)
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| 配分額 *注記 |
3,200千円 (直接経費: 3,200千円)
2006年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
2005年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | TIInSe 2 / インコメンシュレート相 / ゼーベック係数 / 熱電変換 / フォトルミネセンス / 電流電圧特性 / エリプソメトリー / 角度分解光電子分光 / TlInSe_2 / 負性抵抗 / 強誘電性 |
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| 研究概要 |
TIInSe_2結晶の電流電圧特性を測定し、強誘電性を示す試料があることがわかった。また、大電流領域では試料も測定ごとに電流-電圧特性が変化し、メモリー効果を観測した。試料を150℃まで加熱することによりメモリー効果が消失することから、この現象は他のT1系化合物で観測されるインコメンシュレート相におけるメモリー効果であると推論した。
次に、TIInSe_2結晶のフォトルミネセンススペクトルを初めて観測し、0.97eVと1.05eVの位置にピークは励起強度依存性からfree-to-bound遷移によるものと推測した。またスペクトルの温度依存性から活性化エネルギーを求め発光に関与するバンド内準位を評価した。さらにPL励起スペクトルよりバンド端付近にexciton-likeな鋭いピークを観測し、このピークについて考察すると共に、TIInSe_2のバンドギャップについて議論した。
また、TIInSe_2結晶の吸収特性を観測し、60から150℃の温度領域で吸収係数スペクトルの構造変化を見出した。またTIInSe_2化合物の吸収特性から間接遷移型であり、遷移に寄与するフォノンエネルギーがこの領域で減少している。これは相転移によるインコメンシュレート相の超格子構造に基づくバンドの折り返しによると考えた。
角度分解光電子分光法によりTIInSe_2結晶のバンド構造を直接観測した。その結果は計算によって求めたバンド構造とよく一致していた。また温度変化によりフェルミレベルが大きく移動していると考えられる。さらに50Kでミニギャップらしい構造を観測した。これらの現象はインコメンシュレート相での巨大ゼーベック係数を示唆している。
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