次世代半導体デバイスのための遷移金属材料プラズマエッチングプロセスの開発

• 研究課題/領域番号: 17760027
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 高橋 和生 京大, 工学(系)研究科(研究院), 助手 (50335189)
• 研究期間 (年度): 2005
• 研究課題ステータス: 完了 (2005年度)
• 配分額: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円); 2005年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)