| 研究課題/領域番号 |
17F17809
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 外国 |
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| 研究分野 |
電力工学・電力変換・電気機器
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| 研究機関 | 九州工業大学 |
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研究代表者 |
大村 一郎 九州工業大学, 大学院生命体工学研究科, 教授 (10510670)
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| 研究分担者 |
LONGOBARDI GIORGIA 九州工業大学, 生命体工学研究科(研究院), 外国人特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
2017-11-10 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
2018年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
2017年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
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| キーワード | GaNパワー半導体 / コラプス現象 / TCADシミュレーション / 窒化ガリウム（GaN） |
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| 研究実績の概要 |
窒化ガリウム（GaN）パワー半導体は、低損失動作を実現する高い特性を持つため次世代の省エネデバイスとして注目されているが、長期的な信頼性の確保と動作電流の増加が実用化に向けた課題である。本研究では、デバイスの高性能化には欠かせない、デバイスの高い信頼性を確保するする目的で、電流コラプスのメカニズムの分析を行いその防止に貢献する。
具体的には、①TCADによるシミュレーションによる机上検討および電流コラプスのシミュレーションを行った。②パワーエレクトロニクス高電圧回路での連続運転中の電流コラプスを計測する方法を開発し、GaN-Systemsの素子を実際に評価した。このような評価は世界で初めてだと思われる。この結果をもとに実用上の影響を調査した。
シミュレーションでは、ゲートリーク現象をTCADで再現することをでリーク現象のモデルを提案した。特にP型ゲートを有するデバイスの信頼性とリークに関するメカニズム分析をおこなった。本件は論文化した。実験に関しては、安全ボックスとフェールセーフの機構を導入し、必要な安全対策等を講じている。そのうえで電流コラプスによる電圧の変化をとらえる事ができ、連続運転中のコラプスによる電圧上昇を確認できた。
本件研究をベースに企業と受託研究を行い、GaN素子を製造しているメーカへの研究内容のフィードバックを行った。
GaNパワー素子は、一部市場に出ているものの、コラプスによる信頼性が大きな課題になっている。本研究は、実際に動作する装置で、コラプスを計測する全く新しい信頼性評価法であり、注目される成果だと思われる。
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| 現在までの達成度 (段落) |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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